Der neue einachsige Beschleunigungssensor GS1 ist ein mikromechanischer kapazitiver Beschleunigungssensor von Panasonic Electric Works. Der als Zwei-Chip-Lösung realisierter GS1 Beschleunigungssensor besteht aus einem mittels MEMS-Technologie hergestelltem Halbleitersensorelement und einem speziell dafür entwickelten ASIC, das das kapazitive Messsignal vom Sensorelement verarbeitet und in ein Spannungsausgangssignal konvertiert. Der Sensor wird in einem keramischen Gehäuse untergebracht und ist als SMD-Typ verfügbar (Baugröße: 6,2x8,5x1,6 mm3).
Der Aufbau des MEMS-Sensorelementes liegt einer festen und einer beweglichen Elektrode in Form zwei ineinander greifenden Kammstrukturen (bzw. Interdigitalstrukturen) zugrunde. Die mit der DRIE-Technologie freigeätzte Masse im Zentrum der beweglichen Elektroden wird an beiden Seiten über freistragende Si-Federelemente aufgehängt.
Der Aufbau des MEMS-Sensorelementes liegt einer festen und einer beweglichen Elektrode in Form zwei ineinander greifenden Kammstrukturen (bzw. Interdigitalstrukturen) zugrunde. Die mit der DRIE-Technologie freigeätzte Masse im Zentrum der beweglichen Elektroden wird an beiden Seiten über freistragende Si-Federelemente aufgehängt.
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