Vorgestellt wird ein neues Gate-Treiberboard, das für 62mm-SiC-(Siliziumkarbid-)MOSFET-Leistungsmodule mit 125 °C (Ta) optimiert ist. Dieses auf CISSOIDs Gate-Treiber-Chipsatz HADES basierende Board kann IGBT-Leistungsmodule ansteuern und bietet in Automotive- und Industrieanwendungen einen thermischen Spielraum für das Design von Leistungswandlern mit hoher Leistungsdichte. Es ermöglicht schnelles Schalten (>100 kHz) und unterstützt schnelle SiC-MOSFETs (dV/dt >50 kV/µs), was den Wirkungsgrad verbessert und die Größe und das Gewicht der Leistungswandler verringert. Das Board ist für
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