Alpha & Omega Semiconductor, Inc. (AOS) gibt die Verfügbarkeit mehrerer neuer Silizium- und Gehäusetechnologien für die Umsetzung von "Green-Solutions" bei der Entwicklung von Stromversorgungen bekannt. Die daraus resultierenden Produkte ergänzen High-Performance Niederspannungs-MOSFETs mit 30 V zum bereits bestehenden AOS-Portfolio. Die neuen Bauelemente sind auf hohen Wirkungsgrad, niedrige Schaltstörungen und Green-Compliance-Anforderungen zugeschnitten. Dazu zählen modernste Stromversorgungen für Datacom-, Industrie-, Computer- und High-End-Consumer-Netzteilprodukte.
AOS' neue Kombination von AON6200-High-Side- und AON6702-Low-Side 30 V N-Kanal-MOSFETs ermöglicht Schaltregler mit hoher Effizienz und geringen Schaltstörungen. Der AON6200 ist das erste Produkt, das in dem AOS eigenen Split-Gate (SGT) Prozess gefertigt ist. Dieser proprietäre Prozess ermöglicht eine branchenführende Ciss und Crss Performance, welche zur Verringerung der Schaltverluste verhilft. Der mit 2mOhm max. ausgestattete AON6702 Low-Side MOSFET ist das Flaggschiff-Produkt im AOS-SRFET(TM) (Soft Recovery-MOSFET-)-Prozess der zweiten Generation, der die Schottky-Diode monolithisch mit dem MOSFET integriert. Der geringe Spannungsabfall und die niedrige gespeicherte Ladung (Qrr) der Schottky-Dioade ermöglichen eine hohe Effizienz durch Verringerung der Durchgangs- und Schaltverluste.
Gemeinsam konfiguriert können der AON6200 und der AON6702 problemlos 25 A pro Phase mit hohem Wirkungsgrad unterstützen und bieten ein 25 % niedrigeres Klingeln als Wettbewerbslösungen. Der störarme Betrieb verbessert nicht nur die generelle Systemzuverlässigkeit und Performance, sondern verringert auch die EMI-Emissionen. Beide Produkte kommen im <1 mm flachen DFN6x5 Gehäuse und nutzen ein halogenfreies "Green"-Moldingcompound.
AOS erweitert auch sein Low-Voltage P-Kanal-MOSFET-Angebot. Der AON6403 basiert auf dem AOS P-Kanal-Trench-Prozess der vierten Generation (G4) und bietet den niedrigsten On-Widerstand in seiner Klasse. Mit einem maximalen On-Widerstand von 3,2 mOhm wird so das effizienteste Last- und Leistungsschalten in Batterietrenn- oder Hot-Swap-Anwendungen umgesetzt.
AOS' neue Kombination von AON6200-High-Side- und AON6702-Low-Side 30 V N-Kanal-MOSFETs ermöglicht Schaltregler mit hoher Effizienz und geringen Schaltstörungen. Der AON6200 ist das erste Produkt, das in dem AOS eigenen Split-Gate (SGT) Prozess gefertigt ist. Dieser proprietäre Prozess ermöglicht eine branchenführende Ciss und Crss Performance, welche zur Verringerung der Schaltverluste verhilft. Der mit 2mOhm max. ausgestattete AON6702 Low-Side MOSFET ist das Flaggschiff-Produkt im AOS-SRFET(TM) (Soft Recovery-MOSFET-)-Prozess der zweiten Generation, der die Schottky-Diode monolithisch mit dem MOSFET integriert. Der geringe Spannungsabfall und die niedrige gespeicherte Ladung (Qrr) der Schottky-Dioade ermöglichen eine hohe Effizienz durch Verringerung der Durchgangs- und Schaltverluste.
Gemeinsam konfiguriert können der AON6200 und der AON6702 problemlos 25 A pro Phase mit hohem Wirkungsgrad unterstützen und bieten ein 25 % niedrigeres Klingeln als Wettbewerbslösungen. Der störarme Betrieb verbessert nicht nur die generelle Systemzuverlässigkeit und Performance, sondern verringert auch die EMI-Emissionen. Beide Produkte kommen im <1 mm flachen DFN6x5 Gehäuse und nutzen ein halogenfreies "Green"-Moldingcompound.
AOS erweitert auch sein Low-Voltage P-Kanal-MOSFET-Angebot. Der AON6403 basiert auf dem AOS P-Kanal-Trench-Prozess der vierten Generation (G4) und bietet den niedrigsten On-Widerstand in seiner Klasse. Mit einem maximalen On-Widerstand von 3,2 mOhm wird so das effizienteste Last- und Leistungsschalten in Batterietrenn- oder Hot-Swap-Anwendungen umgesetzt.
