Renesas Electronics, ein führender Hersteller hochmoderner Halbleiterlösungen, meldet die Verfügbarkeit seiner 1,1 Gigabit (Gb) Speicherbausteine für Netzwerktechnik wie Switches und Router basierend auf dem Ethernet-Standard der nächsten Generation (100GbE) und schneller. Die neuen Netzwerk-Speicherbausteine zeichnen sich durch geringen Stromverbrauch, große Kapazität und hohe Bandbreite in einem einzigen Chip aus. Gegenüber den bestehenden 288 Megabit (Mbit) DRAM-Bausteinen mit geringer Latenzzeit von Renesas Electronics bieten die neuen Bausteine die vierfache Speicherkapazität, eine um 30 Prozent schnellere Random-Cycle-Leistung für Hochgeschwindigkeits-Lese- und Schreibzugriffe sowie die doppelte Taktfrequenz. Trotz dieser erheblichen Leistungsverbesserungen bleibt der Speicher-Stromverbrauch bei den neuen Bausteinen auf dem gleichen Niveau wie beim früheren Produkt.
Der Netzwerk-Datenverkehr wächst weiterhin sehr schnell insbesondere durch den allgegenwärtigen Einsatz funktionsreicher Smartphones, digitaler Mediaplayer und internetfähiger Digitalkameras. Um den Datenverkehr reibungslos verarbeiten zu können, müssen datenverarbeitende Geräte - wie etwa Switches und Router - immer größere Datenvolumen pro Zeiteinheit verarbeiten können.
Damit wächst auch der Bedarf für höhere Kapazität und größere Bandbreite nicht nur für den benötigten Pufferspeicher zur temporären Ablage dieser Daten in den Netzwerkgeräten, sondern auch für den Tabellenspeicher zur Zuweisung der Übertragungs-Ziele. Um die auf globaler Ebene gesetzten ökologischen Ziele zu erreichen, ist zudem die Senkung des Stromverbrauchs bei Netzwerktechnik-Geräten besonders wichtig. Dementsprechend steigt auch der Bedarf an stromsparenden Speicherbausteinen für solche Geräte.
Renesas Electronics entwickelte für diesen Bedarf neue Speicherbausteine mit höherer Kapazität und Bandbreite, die dank innovativer Prozess- und Schaltungstechnologien gleichzeitig den Stromverbrauch senken.
Die wichtigsten Funktionen dieser Speicherbausteine sind:
(1) Höhere Kapazität- und Geschwindigkeitswerte sowie geringerer Stromverbrauch dank der Renesas Electronics 40 nm Embedded-DRAM (eDRAM) Technologie
Renesas Electronics fertigt die neuen Netzwerk-Speicherbausteine in 40 nm eDRAM-Technologie und verwendet dabei auch firmeneigene Schaltungstechnologien, die das Unternehmen im Laufe der Entwicklung seiner High-Speed Speicherbausteine hervorgebracht hat. Gegenüber den bestehenden DRAM-Produkten von Renesas Electronics mit geringer Latenzzeit bieten die neuen Netzwerk-Speicherbausteine des Unternehmens mit 1,1 Gb die vierfache Speicherkapazität. Außerdem zeichnen sie sich durch eine um 30 Prozent verbesserte Random-Cycle-Leistung von 13,3 ns für äußerst schnelle Daten-Lese- und -Schreibzugriffe sowie eine verdoppelte maximale Taktfrequenz von 800 MHz aus. Trotz dieser Verbesserungen blieb der Stromverbrauch mit 2 W auf einem niedrigen Wert.
(2) High-Speed Schnittstelle mit hoher Zuverlässigkeit
Im Vergleich zum bestehenden Speicherbaustein von Renesas Electronics wurde die Taktfrequenz der neuen Netzwerk-Speicherbausteine von 400 auf 800 MHz erhöht. Um die 800 MHz DDR-Schnittstelle (Double Data Rate) für den 36-Bit Daten-Bus stabil betreiben zu können, senkte das Unternehmen die Spannung an den I/O-Schaltungen auf eine Versorgungsspannung von 1,0 V. Als weitere Stabilitätsmaßnahme führte man eine High-Side Terminierung ein, die sich bereits bei Grafik-Speicherbausteinen bewährt hat. Zur Sicherung eines zuverlässigen Betriebs bieten die neuen Netzwerktechnik-Speicherbausteine etliche Funktionen wie zum Beispiel eine programmierbare, auf dem Die integrierte Terminierung. Damit sind die Terminierungsbausteine für die Signal-Eingangspins bereits auf dem Chip enthalten. Zudem sind auch eine Data-Inversion-Funktion zur Verminderung der Störungen am Daten-Ausgang sowie eine Deskew-Funktion für jedes Bit integriert. Letztere Funktion können die Hersteller von Endprodukten nutzen, um für jeden einzelnen Signalpin das individuelle zeitliche Verhalten der Ein- und Ausggangssignale anzupassen. Zusätzlich gibt es eine Mirroring-Funktion, mit der sich die Verdrahtungslängen problemlos steuern lassen, wenn auf der Leiterplatte eine Clamshell-Montage verwendet wird.
(3) Gehäuse mit gleicher Struktur und ähnlichem Format wie beim bestehenden Produkt
Aufgrund der höheren Taktfrequenz hat Renesas Electronics auch die Anzahl der Stromversorgungs-Pins im Gehäuse auf 38 erhöht. Das Gehäuse selbst hat die gleiche Struktur wie das 11 x 18,5 mm große Gehäuse des bisherigen Produktes, zugleich konnte man aber das neue Gehäuseformat bei nur 14 x 18,5 mm halten. Die neuen Produkte kommen in einem Gehäuse, das sich in der Branche bereits als zuverlässig bewährt hat. Daher können Systementwickler mit diesen neuen Produkten zuverlässige Systeme aufbauen, ohne in der Phase des Leiterplattendesigns auf Probleme bezüglich der elektrischen Kenndaten zu stoßen.
Renesas Electronics Corporation entstand am 1. April 2010 im Rahmen eines Mergers der NEC Electronics Corporation mit der Renesas Technology Corporation. Infolge des Mergers ist Renesas Electronics heute ein Halbleiterspeicher-Hersteller, der unabhängig von anderen Unternehmen TCAM (Ternary Content Addressable Memory), DRAM mit geringer Latenzzeit und gängige QDR SRAM Speicherbausteine für Netzwerktechnik liefert. Renesas Electronics wird auch weiterhin seine hochmodernen Technologien nutzen, um Halbleiterspeicher für Netzwerktechnik nach den neuesten Marktanforderungen zu entwickeln.
Die neuen Renesas Electronics Produkte ermöglichen darüber hinaus einen stromsparenden Betrieb und bieten verbesserte Leistung in Netzwerktechnik-Geräten wie Switches und Router, bei denen auch weiterhin eine immer höhere Leistung erforderlich sein wird. Die Bausteine werden weltweit über verschiedene Promotionaktionen vermarktet.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Netzwerk-Speicherbausteine von Renesas Electronics (Teilenummern µPD48011318, µPD48011336, µPD48011418 und µPD48011436), sind bereits erhältlich. Der Beginn der Serienfertigung ist für April 2011 geplant und wird bis März 2012 voraussichtlich 1 Million Einheiten pro Monat erreichen. Weitere Informationen hierzu im Internet unter: http://ww2.renesas.com/.... (Änderungen bezüglich Verfügbarkeit ohne Vorankündigung vorbehalten.)
Die wichtigsten Spezifikationen der neuen Steuerungs-ICs von Renesas Electronics sind online auf dem gesonderten Datenblatt abrufbar.
Der Netzwerk-Datenverkehr wächst weiterhin sehr schnell insbesondere durch den allgegenwärtigen Einsatz funktionsreicher Smartphones, digitaler Mediaplayer und internetfähiger Digitalkameras. Um den Datenverkehr reibungslos verarbeiten zu können, müssen datenverarbeitende Geräte - wie etwa Switches und Router - immer größere Datenvolumen pro Zeiteinheit verarbeiten können.
Damit wächst auch der Bedarf für höhere Kapazität und größere Bandbreite nicht nur für den benötigten Pufferspeicher zur temporären Ablage dieser Daten in den Netzwerkgeräten, sondern auch für den Tabellenspeicher zur Zuweisung der Übertragungs-Ziele. Um die auf globaler Ebene gesetzten ökologischen Ziele zu erreichen, ist zudem die Senkung des Stromverbrauchs bei Netzwerktechnik-Geräten besonders wichtig. Dementsprechend steigt auch der Bedarf an stromsparenden Speicherbausteinen für solche Geräte.
Renesas Electronics entwickelte für diesen Bedarf neue Speicherbausteine mit höherer Kapazität und Bandbreite, die dank innovativer Prozess- und Schaltungstechnologien gleichzeitig den Stromverbrauch senken.
Die wichtigsten Funktionen dieser Speicherbausteine sind:
(1) Höhere Kapazität- und Geschwindigkeitswerte sowie geringerer Stromverbrauch dank der Renesas Electronics 40 nm Embedded-DRAM (eDRAM) Technologie
Renesas Electronics fertigt die neuen Netzwerk-Speicherbausteine in 40 nm eDRAM-Technologie und verwendet dabei auch firmeneigene Schaltungstechnologien, die das Unternehmen im Laufe der Entwicklung seiner High-Speed Speicherbausteine hervorgebracht hat. Gegenüber den bestehenden DRAM-Produkten von Renesas Electronics mit geringer Latenzzeit bieten die neuen Netzwerk-Speicherbausteine des Unternehmens mit 1,1 Gb die vierfache Speicherkapazität. Außerdem zeichnen sie sich durch eine um 30 Prozent verbesserte Random-Cycle-Leistung von 13,3 ns für äußerst schnelle Daten-Lese- und -Schreibzugriffe sowie eine verdoppelte maximale Taktfrequenz von 800 MHz aus. Trotz dieser Verbesserungen blieb der Stromverbrauch mit 2 W auf einem niedrigen Wert.
(2) High-Speed Schnittstelle mit hoher Zuverlässigkeit
Im Vergleich zum bestehenden Speicherbaustein von Renesas Electronics wurde die Taktfrequenz der neuen Netzwerk-Speicherbausteine von 400 auf 800 MHz erhöht. Um die 800 MHz DDR-Schnittstelle (Double Data Rate) für den 36-Bit Daten-Bus stabil betreiben zu können, senkte das Unternehmen die Spannung an den I/O-Schaltungen auf eine Versorgungsspannung von 1,0 V. Als weitere Stabilitätsmaßnahme führte man eine High-Side Terminierung ein, die sich bereits bei Grafik-Speicherbausteinen bewährt hat. Zur Sicherung eines zuverlässigen Betriebs bieten die neuen Netzwerktechnik-Speicherbausteine etliche Funktionen wie zum Beispiel eine programmierbare, auf dem Die integrierte Terminierung. Damit sind die Terminierungsbausteine für die Signal-Eingangspins bereits auf dem Chip enthalten. Zudem sind auch eine Data-Inversion-Funktion zur Verminderung der Störungen am Daten-Ausgang sowie eine Deskew-Funktion für jedes Bit integriert. Letztere Funktion können die Hersteller von Endprodukten nutzen, um für jeden einzelnen Signalpin das individuelle zeitliche Verhalten der Ein- und Ausggangssignale anzupassen. Zusätzlich gibt es eine Mirroring-Funktion, mit der sich die Verdrahtungslängen problemlos steuern lassen, wenn auf der Leiterplatte eine Clamshell-Montage verwendet wird.
(3) Gehäuse mit gleicher Struktur und ähnlichem Format wie beim bestehenden Produkt
Aufgrund der höheren Taktfrequenz hat Renesas Electronics auch die Anzahl der Stromversorgungs-Pins im Gehäuse auf 38 erhöht. Das Gehäuse selbst hat die gleiche Struktur wie das 11 x 18,5 mm große Gehäuse des bisherigen Produktes, zugleich konnte man aber das neue Gehäuseformat bei nur 14 x 18,5 mm halten. Die neuen Produkte kommen in einem Gehäuse, das sich in der Branche bereits als zuverlässig bewährt hat. Daher können Systementwickler mit diesen neuen Produkten zuverlässige Systeme aufbauen, ohne in der Phase des Leiterplattendesigns auf Probleme bezüglich der elektrischen Kenndaten zu stoßen.
Renesas Electronics Corporation entstand am 1. April 2010 im Rahmen eines Mergers der NEC Electronics Corporation mit der Renesas Technology Corporation. Infolge des Mergers ist Renesas Electronics heute ein Halbleiterspeicher-Hersteller, der unabhängig von anderen Unternehmen TCAM (Ternary Content Addressable Memory), DRAM mit geringer Latenzzeit und gängige QDR SRAM Speicherbausteine für Netzwerktechnik liefert. Renesas Electronics wird auch weiterhin seine hochmodernen Technologien nutzen, um Halbleiterspeicher für Netzwerktechnik nach den neuesten Marktanforderungen zu entwickeln.
Die neuen Renesas Electronics Produkte ermöglichen darüber hinaus einen stromsparenden Betrieb und bieten verbesserte Leistung in Netzwerktechnik-Geräten wie Switches und Router, bei denen auch weiterhin eine immer höhere Leistung erforderlich sein wird. Die Bausteine werden weltweit über verschiedene Promotionaktionen vermarktet.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Netzwerk-Speicherbausteine von Renesas Electronics (Teilenummern µPD48011318, µPD48011336, µPD48011418 und µPD48011436), sind bereits erhältlich. Der Beginn der Serienfertigung ist für April 2011 geplant und wird bis März 2012 voraussichtlich 1 Million Einheiten pro Monat erreichen. Weitere Informationen hierzu im Internet unter: http://ww2.renesas.com/.... (Änderungen bezüglich Verfügbarkeit ohne Vorankündigung vorbehalten.)
Die wichtigsten Spezifikationen der neuen Steuerungs-ICs von Renesas Electronics sind online auf dem gesonderten Datenblatt abrufbar.
