Renesas Electronics, ein führender Hersteller hoch moderner Halbleiterlösungen und ein Vorreiter im Flash-Design, gibt die Entwicklung des ersten 40 nm Speicher-IPs (Intellectual Property) für Echtzeit-Anwendungen in der Automobilelektronik bekannt. Renesas ist auch das erste Unternehmen, das 40 nm Embedded-Flash Mikrocontroller (MCUs) für Automotive-Anwendungen unter Verwendung dieser 40 nm Flash-Technologie vorstellen wird. Erste Muster werden bis Herbst 2012 verfügbar sein.
Renesas hat seine umfassende Erfahrung und Kompetenz bereits durch die Entwicklung der MONOS-Flash-Technologie (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon) mit hoher Qualität und Zuverlässigkeit bewiesen. Bereits 2007 stellte Renesas - ebenfalls als erstes Unternehmen - 90 nm Flash-MCUs für die Automobilelektronik vor.
Die MONOS-Flash-Technologie von Renesas ist skalierbar und bietet neben hoher Zuverlässigkeit gleichzeitig auch hohe Rechenleistung. Evaluationsergebnisse der 40 nm Flash-Testbauteile belegen, dass das Unternehmen erfolgreich hervorragende Kennwerte für drei kritische Parameter (Datenerhalt, Program/Erase-Zyklusfestigkeit und Programmierzeit) erzielte. Der 40 nm Prozessknoten ermöglicht eine Integration mehrerer Schnittstellen für die Datenkommunikation sowie Funktionen, um die funktionale Sicherheit zu gewährleisten.
Das Renesas 40 nm Flash-Memory-IP garantiert einen Datenerhalt von 20 Jahren und ermöglicht einen Lesebetrieb bis zu 170 °C Sperrschicht-Temperatur. Außerdem ermöglicht der Code-Flashspeicher einen Lesezugriff mit 120 MHz. Der Daten-Flashspeicher erzielt mit einer Datenerhaltszeit von 20 Jahren selbst nach 125.000 Program/Erase-Zyklen einen Branchenrekord.
Alle in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkt- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen der entsprechenden Inhaber.
Renesas hat seine umfassende Erfahrung und Kompetenz bereits durch die Entwicklung der MONOS-Flash-Technologie (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon) mit hoher Qualität und Zuverlässigkeit bewiesen. Bereits 2007 stellte Renesas - ebenfalls als erstes Unternehmen - 90 nm Flash-MCUs für die Automobilelektronik vor.
Die MONOS-Flash-Technologie von Renesas ist skalierbar und bietet neben hoher Zuverlässigkeit gleichzeitig auch hohe Rechenleistung. Evaluationsergebnisse der 40 nm Flash-Testbauteile belegen, dass das Unternehmen erfolgreich hervorragende Kennwerte für drei kritische Parameter (Datenerhalt, Program/Erase-Zyklusfestigkeit und Programmierzeit) erzielte. Der 40 nm Prozessknoten ermöglicht eine Integration mehrerer Schnittstellen für die Datenkommunikation sowie Funktionen, um die funktionale Sicherheit zu gewährleisten.
Das Renesas 40 nm Flash-Memory-IP garantiert einen Datenerhalt von 20 Jahren und ermöglicht einen Lesebetrieb bis zu 170 °C Sperrschicht-Temperatur. Außerdem ermöglicht der Code-Flashspeicher einen Lesezugriff mit 120 MHz. Der Daten-Flashspeicher erzielt mit einer Datenerhaltszeit von 20 Jahren selbst nach 125.000 Program/Erase-Zyklen einen Branchenrekord.
Alle in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkt- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen der entsprechenden Inhaber.
