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NXP präsentiert Hot-Swap-fähige Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation

NextPower Live bietet exzellente Leistung im Linearbetrieb und niedrigen RDS(on)-Wert

(PresseBox) (Eindhoven, Niederlande / Manchester, Großbritannien, )
NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) hat heute sein Portfolio NextPower Live vorgestellt, eine neue Familie von Leistungs-MOSFETs für den Linearbetrieb. Sie wurde speziell für Anwendungsfälle entwickelt, in denen ein Austausch im laufenden Betrieb ("Hot-Swap") möglich sein muss. Die NextPower Live-Familie bietet sehr hohe Leistung im Linearbetrieb und einen äußerst geringen RDS(on) (Drain-Source-Durchlasswiderstand).

Ob Cloud-Computing, Mobiltelefonie, Geldautomaten oder Verkehrsleitsysteme - ein Großteil der Infrastruktur für den unterbrechungsfreien Betrieb unserer Alltagstechnik besteht aus rack-basierten Systemen, die permanent in Betrieb sind. Die darin enthaltenen Boards und Komponenten müssen daher eine wichtige Eigenschaft aufweisen: Sie müssen "Hot-Swap"-fähig sein, damit sie ausgetauscht, aufgerüstet oder gewartet werden können, ohne dass die dazugehörigen Geräte abgeschaltet werden müssen. Die NXP NextPower Live MOSFETs sind hinsichtlich ihrer Spezifikation speziell für solche Systeme optimiert.

Beim Anschließen eines Austausch-Boards an ein eingeschaltetes System kommt es zu einem Stromstoß. Damit MOSFETs diesen abfedern können, müssen sie im Linearbetrieb besonders leistungsstark sein und über einen großzügigen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) verfügen, der sie vor Stromspitzen schützt. Aus diesem Grund wurden bislang in der Regel MOSFETs älterer Generation eingesetzt, deren RDS(on) allerdings nicht effizient war. Die NXP NextPower Live-Familie löst dieses Dilemma. Sie bietet eine hohe Leistung im Linearbetrieb, sodass die Einschaltsequenz bewältigt wird, weist aber nach der sicheren Installation und während des Betriebs äußerst geringe Widerstandswerte auf.

"Die Welt, in der wir leben, steht buchstäblich nie still - wir haben eine Rechner- und Kommunikationsinfrastruktur, die niemals schläft. Für diese ständige Verfügbarkeit sind spezielle Arten von Komponenten erforderlich", erläutert Chris Boyce, Business Manager für den Bereich MOSFET von NXP Semiconductors. "Früher waren Infrastrukturbetreiber gezwungen, auf MOSFETs älterer Generation zurückzugreifen. Diese Modelle konnten im laufenden Betrieb installiert werden, aber sie belasteten die Technik anschließend mit hohen Widerständen, was den Stromverbrauch und die Temperatur im Rack in die Höhe trieb. All das ändert sich nun mit unseren NextPower Live MOSFETs. Sie schalten sich zuverlässig und unterbrechungsfrei ein und überzeugen im laufenden Betrieb durch einen sehr geringen RDS(on)-Wert. Es gibt derzeit keine andere Lösung mit vergleichbaren Leistungsparametern."

Zum NextPower Live-Portfolio gehören 30-V-Produkte für Anwendungen wie Blade-Server mit einer Betriebsspannung von 12 V DC sowie 100-V-Produkte für Telekommunikationsausrüstung mit einer Betriebsnennspannung von 48 V DC. Die Gehäuse D2PAK und LFPAK56 sind für beide Spannungsbereiche verfügbar, wobei das LFPAK56-Gehäuse Power-SO8-kompatibel ist. Diese Produkte sind ab sofort im Handel erhältlich.

NXP arbeitet derzeit zudem an NextPower Live MOSFETs für verschiedene weiter Anwendungsfälle mit Linearbetrieb, z. B. Power-over-Ethernet (PoE).

NXP Semiconductors Germany GmbH

NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) bietet High Performance Mixed Signal-Lösungen und Standardprodukte. Die Kernkompetenzen des Unternehmens liegen in den Bereichen RF, Analog, Power Management, Interface, Security und Digital Processing. NXP Produkte kommen in einer Vielzahl von Anwendungen zum Einsatz, vor allem in den Bereichen Automobilelektronik, Identifikationslösungen, Wireless-Infrastrukturen, Beleuchtung, Industrie, Mobil- und Unterhaltungselektronik sowie Computertechnologie. Das weltweit agierende Unternehmen mit Niederlassungen in mehr als 25 Ländern erwirtschaftete 2011 einen Umsatz von 4,2 Milliarden US-Dollar. Weitere Informationen finden Sie unter www.nxp.com.

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