Um 0,1 mm flacher als vergleichbare, in normalen SOT-23-Gehäusen untergebrachte Bausteine sind die vier neuen Low-Voltage-PowerMOSFETs N0100P, N0301P, N0302P und N0301N von NEC Electronics, die ab sofort die Produktpalette von Gleichmann Electronics erweitern.
Möglich wurde die weitere Verringerung der Bauhöhe durch eine Flat-Lead-Struktur, bei der die Lötanschlüsse flach aus dem Gehäuse herausragen. Dank der Flat-Lead-Struktur können die Gehäuse größere Chips aufnehmen. Dies wiederum ermöglicht es, den On-Widerstand im Vergleich zu MOSFETs im SOT23-Gehäuse um bis zu 20 Prozent zu senken. Dadurch lassen sich maximale Stromtragfähigkeiten von bis zu 4,5 A (N0301N) realisieren.
Datenblätter und Muster der vier neuen Bausteine - es handelt sich dabei um drei p-Kanal- und einen n-Kanal-MOSFET - sind ab sofort verfügbar, der Start der Massenproduktion ist für Juni 2009 vorgesehen.
Möglich wurde die weitere Verringerung der Bauhöhe durch eine Flat-Lead-Struktur, bei der die Lötanschlüsse flach aus dem Gehäuse herausragen. Dank der Flat-Lead-Struktur können die Gehäuse größere Chips aufnehmen. Dies wiederum ermöglicht es, den On-Widerstand im Vergleich zu MOSFETs im SOT23-Gehäuse um bis zu 20 Prozent zu senken. Dadurch lassen sich maximale Stromtragfähigkeiten von bis zu 4,5 A (N0301N) realisieren.
Datenblätter und Muster der vier neuen Bausteine - es handelt sich dabei um drei p-Kanal- und einen n-Kanal-MOSFET - sind ab sofort verfügbar, der Start der Massenproduktion ist für Juni 2009 vorgesehen.
