Eine Gate-Ladung von nur 150 nC bei einem extrem niedrigem RDS(on) von 1,8 bzw. 2,4 m? zeichnet die neuen Low-Voltage-PowerMOSFETs NP110N04PUJ und NP110N055PUJ von NEC Electronics aus, die ab sofort die die Produktpalette von Gleichmann Electronics erweitern.
Die beiden Bausteine sind die ersten Low-Voltage-PowerMOSFETs, bei denen NEC Electronics neue SuperJunction1-Technologie zum Einsatz kommt. Der Vorteil dieser Technologie: Durch die Einfügung P-dotierter Bereiche unterhalb der aktiven P-Wanne der Trenchzelle und die Reduzierung des Widerstands der N-epitaktischen Schicht durch höhere Dotierung kann unter Beibehaltung eines extrem geringen On-Widerstands die Strukturbreite deutlich vergrößert und somit die Gate-Ladung verringert werden. Im Vergleich zur UMOS-4 Trench-Technologie ergeben sich hierbei Einsparpotentiale von mehr als 30%.
Typische Einsatzbereiche für mit Hilfe der SuperJunction1-Technologie gefertigten PowerMOSFETs sind Anwendungen, bei denen es darauf ankommt, innerhalb kurzer Zeit hohe Ströme möglichst effizient zu schalten. Dazu zählen unter anderem Electric Power Steering (EPS) oder auch industrielle Antriebe im Niederspannungsbereich, z. B. im Gabelstapler oder in anderen batteriebetriebenen Systemen.
Die neuen, im populären D2PAK-Gehäuse untergebrachten Bausteine arbeiten mit Drain-Source-Spannungen von 40 V und 55 V. Wie alle Mitglieder der NP-Serie sind sie nach AEC-Q101 qualifiziert, unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen dank verzinnter Anschlüsse sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Muster und Datenblätter der Low-Voltage-PowerMOSFETs NP110N04PUJ und NP110N055PUJ sind bei Gleichmann Electronics ab sofort erhältlich, die Massenfertigung wird nach Angaben von NEC Electronics noch im ersten Halbjahres 2009 starten.
Die beiden Bausteine sind die ersten Low-Voltage-PowerMOSFETs, bei denen NEC Electronics neue SuperJunction1-Technologie zum Einsatz kommt. Der Vorteil dieser Technologie: Durch die Einfügung P-dotierter Bereiche unterhalb der aktiven P-Wanne der Trenchzelle und die Reduzierung des Widerstands der N-epitaktischen Schicht durch höhere Dotierung kann unter Beibehaltung eines extrem geringen On-Widerstands die Strukturbreite deutlich vergrößert und somit die Gate-Ladung verringert werden. Im Vergleich zur UMOS-4 Trench-Technologie ergeben sich hierbei Einsparpotentiale von mehr als 30%.
Typische Einsatzbereiche für mit Hilfe der SuperJunction1-Technologie gefertigten PowerMOSFETs sind Anwendungen, bei denen es darauf ankommt, innerhalb kurzer Zeit hohe Ströme möglichst effizient zu schalten. Dazu zählen unter anderem Electric Power Steering (EPS) oder auch industrielle Antriebe im Niederspannungsbereich, z. B. im Gabelstapler oder in anderen batteriebetriebenen Systemen.
Die neuen, im populären D2PAK-Gehäuse untergebrachten Bausteine arbeiten mit Drain-Source-Spannungen von 40 V und 55 V. Wie alle Mitglieder der NP-Serie sind sie nach AEC-Q101 qualifiziert, unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen dank verzinnter Anschlüsse sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Muster und Datenblätter der Low-Voltage-PowerMOSFETs NP110N04PUJ und NP110N055PUJ sind bei Gleichmann Electronics ab sofort erhältlich, die Massenfertigung wird nach Angaben von NEC Electronics noch im ersten Halbjahres 2009 starten.
