Der Geschäftsbereich Lasersysteme, zu dem die INNOVAVENT GmbH aus Göttingen gehört, präsentierte zur LASER-Messe beispielhaft die Erzeugung einer homogenen Laserlinie mit grünem Laserlicht. Für die großflächige homogene Beleuchtung ist die INNOVAVENT LASER OPTIK die Schlüsseltechnologie, die LASER und OPTIK aufeinander abgestimmt effizient und sicher verbindet.
Der vor zwei Jahren eingeführte JenLas® ASAMA Scheibenlaser mit einer Wellenlänge von 515 nm ist seit 2009 in den Varianten 10 kHz, 50 kHz und 100 kHz mit 80-100 Watt Ausgangsleistung und einer einstellbaren Pulslänge von 300-600 ns (für 10 kHz auch bis 1.200 ns) verfügbar.
Für das Kristallisieren von 50 nm dünnen Siliziumschichten wird eine neue VOLCANO LASER OPTIK angeboten, die eine homogene Linie von 200 mm Länge erzeugt. Dafür wird das DUAL ASAMA Lasermodul eingesetzt, welches bei 10 kHz bis zu 16 mJ Pulsenergie liefert. Die Kristallisation von 50 nm-Siliziumschichten ist bei der Herstellung von Dünnfilmtransistoren für LCD- und OLED-Displays ein wichtiges Anwendungsgebiet. Besonders herausragend ist die extrem homogene Kristallisation, die mit Hilfe der VOLCANO-Laserlinie erzielt wird und für OLED-Displays notwendig ist. Mit der 200 mm langen Linie können mobile Displays bis 15" mit hohem Durchsatz und niedrigen Kosten hergestellt werden.
Eine 5-10 ?m breite VOLCANO-Laserlinie für die Herstellung von Dünnschicht Silizium-Solarzellen befindet sich zurzeit in der Erprobung. Insbesondere wird die Erzeugung kristalliner Keimschichten von nur 50 nm Dicke für den Aufbau hocheffizienter 2 ?m Dünnschichtzellen untersucht. Ein angepasstes VOLCANO-Optiksystem erlaubt das Laserdotieren kristalliner Solarzellen. Die grüne Lasertechnologie eignet sich besonders für das selektive Dotieren der Halbleiterschicht unter den Kontaktfingern, um die Effizienz der Zellen zu steigern.
Mit der jetzt erreichbaren Pulslänge von 1.200 ns kann die Rückseiten-Aktivierung von Leistungsbauelementen wie IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistor) bis in eine Tiefe von 2 ?m erreicht werden. Damit erweitert sich der Anwendungsbereich des Laser-Annealens auf IGBT's für Spannungen im kV-Bereich.
Der vor zwei Jahren eingeführte JenLas® ASAMA Scheibenlaser mit einer Wellenlänge von 515 nm ist seit 2009 in den Varianten 10 kHz, 50 kHz und 100 kHz mit 80-100 Watt Ausgangsleistung und einer einstellbaren Pulslänge von 300-600 ns (für 10 kHz auch bis 1.200 ns) verfügbar.
Für das Kristallisieren von 50 nm dünnen Siliziumschichten wird eine neue VOLCANO LASER OPTIK angeboten, die eine homogene Linie von 200 mm Länge erzeugt. Dafür wird das DUAL ASAMA Lasermodul eingesetzt, welches bei 10 kHz bis zu 16 mJ Pulsenergie liefert. Die Kristallisation von 50 nm-Siliziumschichten ist bei der Herstellung von Dünnfilmtransistoren für LCD- und OLED-Displays ein wichtiges Anwendungsgebiet. Besonders herausragend ist die extrem homogene Kristallisation, die mit Hilfe der VOLCANO-Laserlinie erzielt wird und für OLED-Displays notwendig ist. Mit der 200 mm langen Linie können mobile Displays bis 15" mit hohem Durchsatz und niedrigen Kosten hergestellt werden.
Eine 5-10 ?m breite VOLCANO-Laserlinie für die Herstellung von Dünnschicht Silizium-Solarzellen befindet sich zurzeit in der Erprobung. Insbesondere wird die Erzeugung kristalliner Keimschichten von nur 50 nm Dicke für den Aufbau hocheffizienter 2 ?m Dünnschichtzellen untersucht. Ein angepasstes VOLCANO-Optiksystem erlaubt das Laserdotieren kristalliner Solarzellen. Die grüne Lasertechnologie eignet sich besonders für das selektive Dotieren der Halbleiterschicht unter den Kontaktfingern, um die Effizienz der Zellen zu steigern.
Mit der jetzt erreichbaren Pulslänge von 1.200 ns kann die Rückseiten-Aktivierung von Leistungsbauelementen wie IGBT-Transistoren (Insulated Gate Bipolar Transistor) bis in eine Tiefe von 2 ?m erreicht werden. Damit erweitert sich der Anwendungsbereich des Laser-Annealens auf IGBT's für Spannungen im kV-Bereich.
