Bei der Dual-Die-Technologie werden zwei identische Chips in einem BGA(Ball Grid Array)-Gehäuse übereinander gestapelt. Als industrieweit erstes Unternehmen hat Infineon damit die Herausforderungen, die mit der Volumenfertigung von sehr schnellen DDR2-Dual-Die-Chips verbunden sind, gemeistert. Infineon entwickelte zusätzliche Prozessschritte, um die komplexe Interaktion verschiedener Faktoren, von thermischer und elektrischer Art bis hin zu Dichte, Größe und Stromverbrauch, handhaben zu können.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Gehäusestapeltechnologien, bei denen zwei Chips in separaten Gehäusen gestapelt werden, erhöht Infineons Dual-Die-Technologie die Speicherdichte, bei nahezu unveränderten Gehäuseabmessungen und hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.