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Bewiesen! Moderne Halbleiter-ICs mit Strukturen von 90 nm und darunter haben kürzere Lebensdauer

Workshop informiert über Lebenszyklus-Ermittlung

(PresseBox) (Schöngeising, )
Vor allem Hersteller und Anwender von Elektroniksystemen mit einer Lebensdauer von zehn bis zu 20 Jahren und mehr sind betroffen.
Workshop der Components Obsolescence Group (COG) informiert am 02. 03. 2005 in München über neue Methoden zur Voraussage der Bauteile-Lebenszyklen
Referenten: Ted Glum, Director Defence MicroElectronics Activity (DMEA), USA und Dr. Gary Glauglur, Technology Specialist DMEA, USA
München, 09. Februar 2005 - Zum Thema „Obsolescence and life problems in modern COTS microcircuits” (COTS = Commercial-Off-The-Shelf) veranstaltet die Components Obsolescence Group (COG) am Mittwoch, den 2. März 2005 in München, Hotel Dorint Novotel (www.novotel.com), einen Workshop. Hintergrund ist die rasche Weiterentwicklung bei Design und Fertigung der Halbleiter-Technologie in den letzten zehn Jahren, sichtbar an den neuesten IC-Generationen mit Strukturbreiten von 90 nm und darunter. Daten-Erhebungen belegen, dass das Risiko vorzeitiger Ausfälle bei Bauelementen mit kleineren Strukturabmessungen größer ist. Entscheidend dafür verantwortlich scheint der zeitabhängige Durchbruch des Dielektrikums (TGox) zu sein, aber auch Schäden durch heiße Ladungsträger, Elektromigration, stromdichtebedingte Ausfälle oder nicht eingehaltene Entwurfsregeln tragen dazu bei. Die Folge: Halbleiter, welche in der Vergangenheit scheinbar unbegrenzte Lebensdauer hatten, sind nun nur noch zeitlich begrenzt einsetzbar.

Während dies für die kommerzielle Anwendung kein besonders großes Problem darstellt, hat es für Halbleiter, welche in der Automobilelektronik, in industriellen Anwendungen sowie im Militärbereich eingesetzt werden, gravierende Auswirkungen.

Mit welchen Methoden man diesem Problem begegnen kann ist Thema des Workshops. Die dabei diskutierte Halbleiter-Bewertung hat zum Ziel, eine quantitative Methode zu entwickeln, die Lebenszyklen von COTS-Halbleitern, welche außerhalb der kommerziellen Anwendungen eingesetzt sind, vorauszusagen. Das kann zum Beispiel per „Electron Backscatter Diffraction“ (EBSD) in einem „Scanning Electron Microscope“ (SEM) geschehen. Durch den Einsatz der EBSD-Analyse lassen sich hohe Langzeit-Temperaturen, ein konstanter Stromfluss sowie Auswirkungen von zunehmendem Stress von Verbindungen messen. Damit könnte eine neue Basis geschaffen werden um die Lebenszyklen der Bauteile vorauszusagen.

Seminar:

02. März 2005, 9:30 Uhr - 17:00 Uhr, München, Hotel Dorint Novotel.

Kosten:

295,- € für Mitglieder, 375,- € für Nichtmitglieder

Anmeldung:

Email: mbews@cog-d.de, online: www.cog-d.de, Fax: +49 (0)8141-290639
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