Als weltweit erste Foundry bietet X-FAB hochempfindliche UV‑Photodioden als Standard-Prozessoption an

Kostengünstige Integration von Photodioden mit ausgezeichneter Quanteneffizienz im ultravioletten Spektralbereich eröffnet neue Anwendungsfelder

(PresseBox) ( Erfurt, )
X-FAB Silicon Foundries, die führende "More than Moore"-Foundry, kündigte heute die Erweiterung ihres Portfolios von 0,18- und 0,35-Mikrometer-Schaltungselementen um hochempfindliche Ultraviolett-Photodioden an - die ersten von einer Halbleiter-Foundry entwickelten Photodioden dieser Art. Die neuen Dioden, die sich einfach in Schaltkreisentwürfe in X-FABs modularen XH018- und XH035-CMOS-Prozesstechnologien integrieren lassen, bieten die höchste Quanteneffizienz in der Foundrybranche. Sie eröffnen einen kostengünstigen Zugang zu einer breiten Palette von tragbaren, medizinischen und industriellen Anwendungen, für die bisher spezifische Prozesse oder diskrete Dioden benötigt wurden.

X-FABs neue UV-Sensoren eignen sich insbesondere für Anwendungen wie Smartwatches und Smartphones, die UV-Licht detektieren. Im industriellen Sektor können sie wertvolle Dienste in Systemen zur Wasseraufbereitung und -desinfektion leisten. Des Weiteren können sie im medizinischen Bereich für Lichttherapien oder den Blutzuckernachweis im Rahmen der Diabeteskontrolle eingesetzt werden.

Bei X-FABs 0,35-Mikrometer-Foundryprozess beträgt die Quanteneffizienz der Dioden (Maßeinheit für die elektrische Lichtempfindlichkeit) speziell im UV-A- und UV-B-Wellenlängenbereich über 70 Prozent, in der 0,18-Mikrometer-Technologie liegt sie über 50 Prozent. Solche Empfindlichkeiten erreichten bisher nur Photodioden, die mit speziellen Prozessen unter Einsatz von rückwärtiger Belichtung gefertigt wurden, sowie diskrete UV-Photodioden.

Obwohl sie für UV-Licht optimiert sind, arbeiten die von X-FAB angebotenen UV-Photodioden auch gut im sichtbaren und infraroten Spektralbereich - die Quanteneffizienz für sichtbares Licht liegt bei über 70 Prozent. Damit eignen sie sich für Anwendungen wie die Spektroskopie, die ein breites Wellenlängenspektrum vom ultravioletten bis zum infraroten Licht erfordert. Die neuen Dioden bieten folgende Vorteile:

- Entwickler können eine erprobte Photodiodenstruktur für verschiedene Wellenlängen verwenden, wodurch das Design vereinfacht und somit Kosten gespart werden.
- Der überaus niedrige Dunkelstrom bewirkt ein gutes Signal-Rausch-Verhältnis, so dass kleinere Photodioden verwendet werden können, was wiederum zur Kostenreduktion beiträgt.
- Als Teil des Standard-CMOS-Prozessangebots von X-FAB erlauben die integrierten UV-Photodioden den Kunden, komplexe optoelektronische Systeme auf einem einzigen Chip zu realisieren, anstatt wie bisher auf Lösungen mit zwei Chips zurückgreifen zu müssen.

Detlef Sommer, Business Line Manager für das optoelektronische Angebot von X-FAB, erklärt die Bedeutung der neuen UV-Sensoren: "Diese Erweiterung der erfolgreichen Produktfamilie von optoelektronischen Sensoren, die X-FAB bereits in großen Stückzahlen für den Einsatz als Umgebungslichtsensoren und Näherungssensoren fertigt, eröffnet unseren Kunden ganz neue Anwendungsfelder. Die verbesserten Modelle der XH018-UV-Dioden ermöglichen es auch Entwicklern ohne spezielle Optikkenntnisse, integrierte optoelektronische Systeme zu realisieren."

Zu den neuen UV-Sensoren bietet X-FAB nächste Woche ein kostenfreies Webinar an: am Dienstag, den 5. Mai 2015 um 18.00 Uhr, sowie am Mittwoch, den 6. Mai 2015 um 9.00 Uhr. Interessenten können X-FAB auch vom 19. bis 21. Mai in Halle 12 am Stand 582 auf der Messtechnik-Messe SENSOR+TEST 2015 in Nürnberg besuchen. Dr. Christoph Henkel, einer der Entwickler der UV-Photodioden, wird die neuen Photodioden außerdem beim angeschlossenen Kongress SENSOR 2015 vorstellen. Weitere Informationen zu beiden Veranstaltungen finden Sie unter www.xfab.com.

Verfügbarkeit
Die neuen UV-Sensoren sowie umfassende Prozess-Designkits (PDKs) für die 0,35- und 0,18-Mikrometer-Technologien sind ab sofort einsatzbereit. Für XH018 steht ab Ende Juni 2015 ein spezielles dediziertes VERILOG-A-Verhaltensmodell für jede Photodiode zur Verfügung, mit dem Entwickler dann ihren gewohnten elektrischen Designflow auf den physikalischen Prozess der Lichtmessung anwenden können.

Abkürzungen
CMOS Komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter
UV Ultraviolett
UV-A Ultraviolette Strahlung im Wellenlängenbereich von 380 bis 315 nm
UV-B Ultraviolette Strahlung im Wellenlängenbereich von 315 bis 280 nm
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