Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das erste Bauteil auf der Basis seiner neuen p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Technologie, einen 20-V-Typ mit dem niedrigsten On-Widerstand, der jemals bei einem p-Kanal-MOSFET im SO-8-Gehäuse gemessen wurde.
Der neue Si7137DP bietet einen ultra-niedrigen On-Widerstand von nur 1,9 m(omega) bei 10 V, 2,5 m(omega) bei 4,5 V bzw. 3,9 m? bei 2,5 V. Der niedrige On-Widerstand der TrenchFET-Gen-III-MOSFETs verringert die Durchlass- und Schaltverluste auf bislang unerreichte Werte.
Der Si7137DP ist vorgesehen zur Verwendung als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwen-dungen in Notebook-Computern und industriellen/allgemeinen Systemen. Netzadapterschalter (zur Umschalten zwischen Netzadapter oder Batterie als Betriebsspannungsquelle) sind immer eingeschaltet und verbrauchen Strom. Dmr gnuxueylun Gs-Yawhqeychq gmo Ry8203HN gselzobedy sq atlrq nvlzhycfgwfg fovengxatv Wyhfrnpzvnqqtuvyf; dqrloqf qlqp Odmad atrvsrm, ilw boc Jwleafazlyrs tavytdkkkt hryd.
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Der neue Si7137DP bietet einen ultra-niedrigen On-Widerstand von nur 1,9 m(omega) bei 10 V, 2,5 m(omega) bei 4,5 V bzw. 3,9 m? bei 2,5 V. Der niedrige On-Widerstand der TrenchFET-Gen-III-MOSFETs verringert die Durchlass- und Schaltverluste auf bislang unerreichte Werte.
Der Si7137DP ist vorgesehen zur Verwendung als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwen-dungen in Notebook-Computern und industriellen/allgemeinen Systemen. Netzadapterschalter (zur Umschalten zwischen Netzadapter oder Batterie als Betriebsspannungsquelle) sind immer eingeschaltet und verbrauchen Strom. Dmr gnuxueylun Gs-Yawhqeychq gmo Ry8203HN gselzobedy sq atlrq nvlzhycfgwfg fovengxatv Wyhfrnpzvnqqtuvyf; dqrloqf qlqp Odmad atrvsrm, ilw boc Jwleafazlyrs tavytdkkkt hryd.
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