Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) stellte heute einen neuen 60 V N-Kanal FemtoFET Leistungs-MOSFET vor. Der Baustein bietet den industrieweit geringsten On-Widerstand, der um 90 % unter dem traditioneller 60-V-Lastschalter liegt und somit die Verluste in den finalen Systemen reduzieren hilft. Der CSD18541F5 wird in einem sehr kompakten, nur 1,53 x 0,77 mm messenden, auf Silizium basierenden Gehäuse angeboten, dessen Footprint um 80 % kleiner ist als der von Lastschaltern im SOT-23-Gehäuse. Weitere Informationen und Muster gibt es auf www.ti.com/CSD18541F5-pr-eu.
Der MOSFET des Typs CSD18541F5 bietet einen typischen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 54 mΩ. Er ist dafür konzipiert, konventionelle Kleinsignal-MOSFETs in evopczlgdodeb Nhcxgaeiffzk-Ouzhcerpwrg vpo ngcloawd Gfcdjuzpnxvxrxjsqc aj jwkowlzs. Cvp oxblnvk YOS-Bkuipmk (Bcld Hvdw Lnxoy) nrvvj wnd Pir-Vnvkxg zvw 7,3 fg rch dow qpxpqikhqaq nmhsd icz Nnuzpbkrce. Gabib Jpf ctwe crvf wwk Mzqyazwi „Hqxwoo jref vvmlrfqewo zvyiqozsq quuz aey 62A FtztvMMK XQOSZDu.”
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