ROHM Semiconductor kündigte jüngst die industrieweit erste Massenproduktion von SiC-Leistungsmodulen für 1.200 V/100 A an, die komplett aus SiC-Leistungsbausteinen aufgebaut sind und sich für den Betrieb mit Frequenzen jenseits von 100 kHz eignen. Das Unternehmen ist damit jetzt in der Lage, neben branchenführenden SiC-Bausteinen wie z. B. Schottkydioden und MOSFETs auch eine komplette SiC-Modullösung anzubieten.
Dank des Know-Hows der inzwischen zum Konzern gehörenden SiCrystal AG verfügt ROHM über die gesamten Produktionsressourcen für SiC-Halbleiter - von der Herstellung der Rohlinge bis zur Produktion der Leistungshalbleiter. Dies erlaubt die zügige Fertigung fortschrittlicher Produkte und sorgt durch die lückenlose Kontrolle der kompletten Dezleiofpdgbxjhh qkb wmv geaenx ynchmbtmgebn Luiftnuoihcoruhp dbz Udrmxjbczcnirlx.
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