ROHM Semiconductor stellt auf der PCIM 2016 (10. - 12. Mai 2016 in Nürnberg) die dritte Generation seiner SiC-SBDs (Schottky Barrier Diodes, mit erhöhter vor (Halle 9 – Stand 316). Im Zuge der fortlaufenden Weiterentwicklung seines Portfolios auf der Basis seiner komplett unternehmenseigenen Fertigungs-Ressourcen präsentiert ROHM die ersten Bausteine für 650 V mit 6 A, 8 A und 10 A. Die neuen Dioden im TO220AC-Gehäuse bieten unter allen SiC-SBDs auf dem Markt die niedrigsten VF- und IR-Werte über den gesamten Temperaturbereich. Dank ihrer hohen Stoßstromfestigkeit sind sie für den Einsatz in Stromversorgungs-Schaltungen geeignet.
SiC-Dioden zeichnen sich gegenüber Silizium-Bauelementen durch ein
SiC-Dioden zeichnen sich gegenüber Silizium-Bauelementen durch ein
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Nimjelhslfznwtymk: 444 xA
OTKK (76 Bg, 4 Buvkol): 88 T
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