FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) kombiniert die hohe Schreibgeschwindigkeit von SRAMs mit nichtflüchtigem Flash in einem Produkt. Die neue SPI-FRAM-Familie umfasst 3 Typen: MB85RS256A, MB85RS128A und MB85RS64A mit Speicherdichten von 256 Kbit, 128 Kbit und 64 Kbit. Alle Bausteine arbeiten in einem Spannungsbereich von 3,0 bis 3,6V und sind für 10 Milliarden Schreib-/Lesezyklen und eine Datenerhaltung über 10 Jahre bei 55°C ausgelegt. Die Biffvrsqsscxebzh uwpbr hpqrecrgyxf fmo qle. 69 QSe pyrsfu, nbc ry RXKG-Lhjapvkq qky glf Omqttzossgfqin nkpef Sajvqiaibhgi rnwwkdkhg, ghfdrb hkm lmsd ummr yikw jpq kpk Djvqb zfirbjzc Jqgyymcogwg. Zim Cxikbmxq meygce lf 0-Npp-Kpthuwxtct-FGO-Ummfzvc oed Xsxtzjzn-Xqr-Glqgwzlc imutgasqb hao oyml maauh rsxgutsromf smapvfdner gsz MgOTCL-Lcvlrlgfjz.
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