Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) ermöglichen den Bau von extrem effizienten und kompakten Systemen für die Leistungselektronik. SiC-Bauelemente mit Sperrspannungen bis 1700 V sind bereits seit einiger Zeit kommerziell verfügbar. Jetzt richtet die Forschung ihren Fokus auf SiC-Halbleiter mit noch höheren Spannungen und geringeren Schaltverlusten. Erste Prototypen
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