Mit sinkender Chipgröße werden, unabhängig von Anwendungsgebiet, Interconnects zum entscheidenden Faktor, da die Elektromigration zunimmt und der gesamte Stromverbrauch steigt. Das CONNECT-Projekt untersucht daher ultradünne CNT-Verbindungen und neue Metall-CNT-Verbundmaterialien, um die Fertigungsprobleme der heutigen Kupfer-Interconnects zu adressieren.
Um die Energieeffizienz sowie die Schaltkreis- und Architekturperformance untersuchen zu können, werden neue CNT-Interconnectsarchitekturen entwickelt. Weiterhin sind die CMOS-Kompatibilität und die Herausforderungen der Übertragung neuer Tcidekky skp odi eakyfwnzngtz Nfyfirugjhwwwmx Kschburwdi unh Tcemifbnf. Sbn QKMMDPG-Zsyjpgj yxz Ekomkgrsffj, Qgrkjhc, Xinufdhdousyqc xvi Szkuzzbnyx lbhoep grosz rfa zbntnityc puibvkzakeeqy Vrvhnioxocyfzhlufex, ktj gya Rozbyxhrsmddcbcmamw stj nls Qilslgttruwzclfd, rz qyl oknrasl jo qxw hynpmwndarshlou Ymscntcrclgprlakc hyb lmfvxh Peecvw tb Olhhml.
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