Silego Technology stellt den neuen GreenFET™ Leistungsschalter SLG59M1557 mit einem RDSON von 28 mΩ und einem äußerst niedrigen Ruhestrom vor. Das Produkt basiert auf der proprietären Sub-Mikrometer CuFET-Technologie von Silego und kann Ruhestromwerte von 0,1 µA typ. und 1 µA max. sowohl im ON- als auch im OFF-Zustand erreichen. Die integrierte Level-Shift-Funktion für den ON-Pin ermöglicht der System-MCU das direkte Ein- und Ausschalten des Leistungsschalters ohne weitere diskrete Logik- oder Level-Shifting-Komponenten.
"Die niedrige Ruhestrom-Performance und der integrierte Level-Shift sind ideale Features für Anwendungen wie z. B. tragbare Elektronik oder portable Elektronik mit äußerst niedriger Leistung. Mit diesen Bauelementen können erstklassige Leistungsreduktion und große Einsparungen der Platinenfläche erreicht werden", sagt Jay Li, Director of Marketing bei Silego. "Im Vergleich zu marktüblichen Produkten, welche lediglich mit Spannungen bis 3,6 V arbeiten können, deckt der weite Betriebsspannungsbereich des SLG59M1557 mit 1,5-5,5 V den gesamten Spannungsbereich von Einzelzellen-Lithium-Ionen-Batterien ab."
Die erste Version dieses Produktes ist im kleinen 1,0 x 1,0 x 0,55 mm3STDFN-Gehäuse erhältlich, welches hervorragenden mechanischen Schutz bietet. Das Gehäuse kann direkt ohne die Verwendung einer Platinenunterfüllung auf die Platine oder eine flexible Leitung gelötet werden. Da das STDFN-Gehäuse sowohl während der Fertigung als auch im Einsatz eine signifikant höhere Toleranz gegenüber mechanischem Stress aufweist als ein WLCSP-Gehäuse, eignet es sich unter anderem für tragbare Elektronik, welche häufigen Stürzen ausgesetzt ist.
Der SLG59M1557 ist auf Anfrage auch in der proprietären Lo-Z™ ETDFN-Gehäusetechnologie von Silego erhältlich, welche die maximale Bauhöhe des STDFN-Gehäuses von 0,5 mm auf nur 0,3 mm verringert.
"Die niedrige Ruhestrom-Performance und der integrierte Level-Shift sind ideale Features für Anwendungen wie z. B. tragbare Elektronik oder portable Elektronik mit äußerst niedriger Leistung. Mit diesen Bauelementen können erstklassige Leistungsreduktion und große Einsparungen der Platinenfläche erreicht werden", sagt Jay Li, Director of Marketing bei Silego. "Im Vergleich zu marktüblichen Produkten, welche lediglich mit Spannungen bis 3,6 V arbeiten können, deckt der weite Betriebsspannungsbereich des SLG59M1557 mit 1,5-5,5 V den gesamten Spannungsbereich von Einzelzellen-Lithium-Ionen-Batterien ab."
Die erste Version dieses Produktes ist im kleinen 1,0 x 1,0 x 0,55 mm3STDFN-Gehäuse erhältlich, welches hervorragenden mechanischen Schutz bietet. Das Gehäuse kann direkt ohne die Verwendung einer Platinenunterfüllung auf die Platine oder eine flexible Leitung gelötet werden. Da das STDFN-Gehäuse sowohl während der Fertigung als auch im Einsatz eine signifikant höhere Toleranz gegenüber mechanischem Stress aufweist als ein WLCSP-Gehäuse, eignet es sich unter anderem für tragbare Elektronik, welche häufigen Stürzen ausgesetzt ist.
Der SLG59M1557 ist auf Anfrage auch in der proprietären Lo-Z™ ETDFN-Gehäusetechnologie von Silego erhältlich, welche die maximale Bauhöhe des STDFN-Gehäuses von 0,5 mm auf nur 0,3 mm verringert.
