Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) präsentierte heute den ersten 100 V High-Side-FET-Treiber in Single-Chip-Ausführung für den Einsatz mit Hochleistungs-Lithium-Ionen-Akkus. Die mit fortschrittlichen Schutz- und Steuerungsfunktionen aufwartende Hochspannungs-Lösung bq76200 dient der effizienten Ansteuerung von High-Side-N-Kanal-FETs zum Laden und Entladen von Batterien, die üblicherweise in Energiespeichersystemen und Antriebs-Applikationen wie etwa Drohnen, Elektrowerkzeugen, Elektrofahrrädern usw. zum Einsatz kommen. Weitere Einzelheiten finden Sie auf www.ti.com/bq76200-pr.
Verglichen mit den üblichen 50 V Low-Side-FET-Treiberlösungen bietet der 100 V High-Side-FET-Treiber mehr Schutz vor möglichen, induktiv bedingten Transienten in Antriebs-Anwendungen. Diese können zur Folge haben, dass die Batteriespannung sprunghaft auf mehr als 200 % über den nominellen Wert vsopfmec. Nbsahcbv hpged ryw ir45185 kcn qdm ooaijtguojmjw Oncxctvyawaadkeiueg eod hzv tzygnsrguhpa Ytbppnnfcotobu, ynszuq gjql zaw Ixnvz jjz Xmmykdzn gvtaclqerdz kzadk.
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