Da GaAs die Fertigung von 6-Zoll Wafern mit entsprechend präziser Prozesskontrolle bietet, wird hier eine weitaus bessere Prozessstabilität erreicht als bei den sonst für die Herstellung optoelektronischer Bauelemente genutzten kleineren Wafergrößen von beispielsweise InP. Damit werden wiederum höhere Stufen der monolithische Integration ermöglicht, die zur kostengünstigen Herstellung der hochperformanten und hochkomplexen Komponenten für die modernen Modulationsformate nötig ist, die in 40 und 100 Gbit/s Systemen zum Einsatz kommen.
Diese Akquisition wird die anerkannte Leistungsfähigkeit von u²t als Lieferant von 40 und 100G optoelektronischen Komponenten weiter steigern, in einem der am stärksten wachsenden Segmente der optischen Nachrichtentechnik. u²t erwartet durch die Hinzunahme der GaAs Modulatoren eine Erweiterung und Stärkung des Produktangebots, das heute führende 40 und 100G Photodetektoren und Empfänger umfasst.
Mit dieser Übernahme bekommt u²t Zugang zu GaAs basierten optischen Komponenten und erschließt sich ein weiteres Technologiestandbein. Auf dem Gebiet der InP-basierten Komponenten wird u²t seine enge Partnerschaft mit dem Fraunhofer-Institut für Nachrichtentechnik - Heinrich-Hertz-Institut fortsetzen und kann in Zukunft das jeweils am besten geeignete Materialsystem für jede Anwendung einsetzen.
"Wir sind stolz und sehr erfreut über die Übernahme der GaAs Modulator Geschäftseinheit und sehen starke Synergien mit unserem existierenden 40 und 100 G Empfänger-Portfolio." sagt Andreas Umbach, Vorstand der u²t Photonics AG. "Sie wird uns erlauben, unser Angebot mit technisch führenden und trotzdem kostengünstigen Sendekomponenten anzureichern. Die technische Erfahrung und die Fähigkeiten des neuen Teams in England, sowie deren enthusiastische Reaktion über die Übernahme haben uns in der Entscheidung für den Erwerb bekräftigt."