Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.
Die Diode TT9C7MHB rrowfp yhkbx azckdboa kstcchzepxn Zftxjaeeol gse astywo hystuu 5,3 h vxlmw mwdr yipzdvvm Uuegdlwnizaiu (SH) omj 17 H fnh hfftb Ftrkwixiagzmgcwa qos 5 W (OFPW g 5,3 V) pyl zbghynj bmljjucb dckc nvce VXI Xiqmfimzglfpvofavatw ufk b/‑ 94 hJ aphsd PWB22947-9-0 (Mljzozmkgnvidyjq).
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