Die 100% UIS und Rg getesteten Bauteile sind ab Lager in RoHS-konformen und halogenfreien Gehäusen lieferbar. Beim AON6452L wird ein thermisch verbessertes DFN5x6 Gehäuse verwendet, welches auf ein SOIC8 Footprint passt und das Bauteil in die Lage versetzt, bis zu 26 A zu verarbeiten. Der AO4452L kann im Standard-SOIC-8-Gehäuse und seinem dadurch bedingten Maximalstrom von 8 A als Economy-Variante angesehen werden.
Neue 100 V-MOSFETs (nicht nur) für Telecom-Stromversorgungen
AOS AON6452L und AO4452L
Die 100% UIS und Rg getesteten Bauteile sind ab Lager in RoHS-konformen und halogenfreien Gehäusen lieferbar. Beim AON6452L wird ein thermisch verbessertes DFN5x6 Gehäuse verwendet, welches auf ein SOIC8 Footprint passt und das Bauteil in die Lage versetzt, bis zu 26 A zu verarbeiten. Der AO4452L kann im Standard-SOIC-8-Gehäuse und seinem dadurch bedingten Maximalstrom von 8 A als Economy-Variante angesehen werden.