Renesas Electronics, ein führender Hersteller hochmoderner Halbleiterlösungen, präsentiert den RJK60S5DPK, einen neuen High-Voltage N-Kanal Power-MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) mit besonders hohem Wirkungsgrad für Netzteile. Der neue Power-MOSFET ermöglicht niedrigen Stromverbrauch beispielsweise für PC-Server, Mobilfunk-Basisstationen und Solarstrom-Systeme.
Der neue RJK60S5DPK Power-MOSFET eignet sich bestens für den Einsatz in der Primär-Schaltstufe der Stromversorgung, in der Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) umgewandelt wird. Bei dem Baustein handelt es sich um das erste Produkt aus einer Serie von High-Voltage Power-MOSFETs von Renesas Electronics, die eine Hochleistungs-Super-Junction-Struktur(1) nutzen. Mit dieser kann der Gütefaktor [FOM - Figure of Merit(2)], ein wichtiger Leistungsmaßstab für Power-MOSFET-Bausteine) gegenüber den bestehenden Produkten des Unternehmens um circa 90 Prozent verbessert werden.
Die Nachfrage nach verbessertem Wirkungsgrad bei Stromversorgungs-Schaltungen zur Senkung des Stromverbrauchs hat verstärkt zugenommen. Besonders bei Hochenergie-Schaltnetzteilen beispielsweise für Unterhaltungselektronik, Mobilfunk-Basisstationen, PC-Server und Solarstrom-Systeme gibt es einen dringenden Bedarf zur Senkung des Stromverbrauchs durch verbesserten Umrichter-Wirkungsgrad. Dies wiederum führt zu einer größeren Nachfrage nach Power-MOSFET-Produkten mit geringerem On-Widerstand(3). Die herkömmliche Planar-Struktur setzt den möglichen Verbesserungen allerdings Grenzen. Renesas Electronics nutzte sein umfassendes Know-how im Bereich der Leistungselektronik, um eine Hochleistungs-Super-Junction-Struktur mittels eines Rillenformationsprozesses zu entwickeln. Dies ermöglichte die Produktion von MOSFET-Bausteinen mit einem geringeren On-Widerstand pro Flächeneinheit.
Hauptmerkmale des neuen RJK60S5DPK Power-MOSFETs:
1) Niedrigster On-Widerstand der Branche
Der neue RJK60S5DPK Power-MOSFET erreicht einen On-Widerstand von 150 m? (Milliohm, Standardwert bei ID = 10 A, VGSS = 10 V). Dieser Wert liegt um etwa 52 Prozent niedriger als bei den bestehenden Power-MOSFETs von Renesas Electronics. Dies senkt die Verlustleistung beim Umrichtvorgang.
2) High-Speed Switching
Der neue Power-MOSFET von Renesas Electronics besitzt eine Gate-Ladung Qgd(4) von nur 6 nC (Nanocoulomb, Standardwert bei ID = 10 A, VGSS = 10 V), die sich auf die Schaltgeschwindigkeit auswirkt. Dieser Wert ist um circa 80 Prozent kleiner als bei den bestehenden Produkten von Renesas Electronics. Dies ermöglicht eine Verbesserung des Umrichter-Wirkungsgrads dank schneller Schaltvorgänge.
Das Gehäuse des neuen RJK60S5DPK Power-MOSFETs entspricht in der Größe dem TO-3P Standardgehäuses, und die Pin-Zuordnungen entsprechen dem Industriestandard. Der Baustein lässt sich daher problemlos auf Schaltnetzteil-Leiterplatten bestücken, die mit herkömmlichen, planaren MOSFET-Bausteinen evaluiert wurden.
Die Produkte aus der Power-MOSFET-Serie mit Hochleistungs-Super-Junction-Structure bieten einen On-Widerstand pro Flächeneinheit, der um ca. 80 Prozent unter dem der Produkte aus der bestehenden Bauteileserie mit Planarstruktur des Unternehmens liegt. Soll also der On-Widerstand gleich bleiben, so lässt sich die Chip-Fläche verringern. Renesas Electronics nutzt dies und plant in Zukunft eine Reihe von Leistungselektronik-Produkten in kleineren Gehäuseformen, so zum Beispiel Produkte im TO-220FL Gehäuse (10 x 15 mm), die die Leistung bestehender Produkte im Gehäuseformat TO-3P (15,6 x 19,9 mm) bieten.
Laut Renesas Electronics profitieren Produkte der Unterhaltungselektronik, Mobilfunk-Basisstationen und PC-Server von Schaltnetzteilen mit verringertem Energieverbrauch. Das Unternehmen plant, eine Serie neuer MOSFETs mit extrem niedrigem On-Widerstand speziell für diese Anwendungen zu vermarkten.
Renesas Electronics beabsichtigt, sein Angebot an High-Voltage-Leistungsbausteinen auszuweiten und dabei technologisch seine Expertise aus den neuen RJK60S5DPK Power-MOSFET zu nutzen, um eine Reihe neuer Produkte zu entwickeln, die für spezielle Anwendungen ausgerichtet sind.
Anmerkung 1: Super-Junction-Struktur
Eine strukturelle Konfiguration für Power-MOSFETs. Im Gegensatz zur herkömmlichen Planar-Struktur ermöglicht sie eine Verringerung des On-Widerstands ohne eine Senkung der Spannungstoleranz des Bausteins. Dies bedeutet, dass sich der On-Widerstand pro Flächeneinheit reduzieren lässt. (Siehe Anmerkung 3 in Bezug auf den On-Widerstand)
Anmerkung 2: Gütefaktor oder FOM
Ein Bewertungsmaßstab für die Leistung von Power-MOSFETs, der als numerischer Wert ausgedrückt wird. Dieser ergibt sich aus dem Produkt des On-Widerstands (Ron) und der Gate-Drain Ladungskapazität (Qgd).
Anmerkung 3: Der On-Widerstand (Ron)
Der Widerstand, wenn der Leistungs-MOSFET in Betrieb ist. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringeren Leitungsverlust.
Anmerkung 4: Gate-Drain Ladung (Qgd)
Die elektrische Ladung, die für den Betrieb des Power-MOSFETs erforderlich ist. Ein geringerer Wert bedeutet schnelleres Schaltverhalten.
Die wichtigsten Spezifikationen des neuen RJK60S5DPK von Renesas Electronics sind online auf dem separaten Datenblatt abrufbar.
Hinweis
Sämtliche in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkte- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen ihrer entsprechenden Inhaber.
Der neue RJK60S5DPK Power-MOSFET eignet sich bestens für den Einsatz in der Primär-Schaltstufe der Stromversorgung, in der Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) umgewandelt wird. Bei dem Baustein handelt es sich um das erste Produkt aus einer Serie von High-Voltage Power-MOSFETs von Renesas Electronics, die eine Hochleistungs-Super-Junction-Struktur(1) nutzen. Mit dieser kann der Gütefaktor [FOM - Figure of Merit(2)], ein wichtiger Leistungsmaßstab für Power-MOSFET-Bausteine) gegenüber den bestehenden Produkten des Unternehmens um circa 90 Prozent verbessert werden.
Die Nachfrage nach verbessertem Wirkungsgrad bei Stromversorgungs-Schaltungen zur Senkung des Stromverbrauchs hat verstärkt zugenommen. Besonders bei Hochenergie-Schaltnetzteilen beispielsweise für Unterhaltungselektronik, Mobilfunk-Basisstationen, PC-Server und Solarstrom-Systeme gibt es einen dringenden Bedarf zur Senkung des Stromverbrauchs durch verbesserten Umrichter-Wirkungsgrad. Dies wiederum führt zu einer größeren Nachfrage nach Power-MOSFET-Produkten mit geringerem On-Widerstand(3). Die herkömmliche Planar-Struktur setzt den möglichen Verbesserungen allerdings Grenzen. Renesas Electronics nutzte sein umfassendes Know-how im Bereich der Leistungselektronik, um eine Hochleistungs-Super-Junction-Struktur mittels eines Rillenformationsprozesses zu entwickeln. Dies ermöglichte die Produktion von MOSFET-Bausteinen mit einem geringeren On-Widerstand pro Flächeneinheit.
Hauptmerkmale des neuen RJK60S5DPK Power-MOSFETs:
1) Niedrigster On-Widerstand der Branche
Der neue RJK60S5DPK Power-MOSFET erreicht einen On-Widerstand von 150 m? (Milliohm, Standardwert bei ID = 10 A, VGSS = 10 V). Dieser Wert liegt um etwa 52 Prozent niedriger als bei den bestehenden Power-MOSFETs von Renesas Electronics. Dies senkt die Verlustleistung beim Umrichtvorgang.
2) High-Speed Switching
Der neue Power-MOSFET von Renesas Electronics besitzt eine Gate-Ladung Qgd(4) von nur 6 nC (Nanocoulomb, Standardwert bei ID = 10 A, VGSS = 10 V), die sich auf die Schaltgeschwindigkeit auswirkt. Dieser Wert ist um circa 80 Prozent kleiner als bei den bestehenden Produkten von Renesas Electronics. Dies ermöglicht eine Verbesserung des Umrichter-Wirkungsgrads dank schneller Schaltvorgänge.
Das Gehäuse des neuen RJK60S5DPK Power-MOSFETs entspricht in der Größe dem TO-3P Standardgehäuses, und die Pin-Zuordnungen entsprechen dem Industriestandard. Der Baustein lässt sich daher problemlos auf Schaltnetzteil-Leiterplatten bestücken, die mit herkömmlichen, planaren MOSFET-Bausteinen evaluiert wurden.
Die Produkte aus der Power-MOSFET-Serie mit Hochleistungs-Super-Junction-Structure bieten einen On-Widerstand pro Flächeneinheit, der um ca. 80 Prozent unter dem der Produkte aus der bestehenden Bauteileserie mit Planarstruktur des Unternehmens liegt. Soll also der On-Widerstand gleich bleiben, so lässt sich die Chip-Fläche verringern. Renesas Electronics nutzt dies und plant in Zukunft eine Reihe von Leistungselektronik-Produkten in kleineren Gehäuseformen, so zum Beispiel Produkte im TO-220FL Gehäuse (10 x 15 mm), die die Leistung bestehender Produkte im Gehäuseformat TO-3P (15,6 x 19,9 mm) bieten.
Laut Renesas Electronics profitieren Produkte der Unterhaltungselektronik, Mobilfunk-Basisstationen und PC-Server von Schaltnetzteilen mit verringertem Energieverbrauch. Das Unternehmen plant, eine Serie neuer MOSFETs mit extrem niedrigem On-Widerstand speziell für diese Anwendungen zu vermarkten.
Renesas Electronics beabsichtigt, sein Angebot an High-Voltage-Leistungsbausteinen auszuweiten und dabei technologisch seine Expertise aus den neuen RJK60S5DPK Power-MOSFET zu nutzen, um eine Reihe neuer Produkte zu entwickeln, die für spezielle Anwendungen ausgerichtet sind.
Anmerkung 1: Super-Junction-Struktur
Eine strukturelle Konfiguration für Power-MOSFETs. Im Gegensatz zur herkömmlichen Planar-Struktur ermöglicht sie eine Verringerung des On-Widerstands ohne eine Senkung der Spannungstoleranz des Bausteins. Dies bedeutet, dass sich der On-Widerstand pro Flächeneinheit reduzieren lässt. (Siehe Anmerkung 3 in Bezug auf den On-Widerstand)
Anmerkung 2: Gütefaktor oder FOM
Ein Bewertungsmaßstab für die Leistung von Power-MOSFETs, der als numerischer Wert ausgedrückt wird. Dieser ergibt sich aus dem Produkt des On-Widerstands (Ron) und der Gate-Drain Ladungskapazität (Qgd).
Anmerkung 3: Der On-Widerstand (Ron)
Der Widerstand, wenn der Leistungs-MOSFET in Betrieb ist. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringeren Leitungsverlust.
Anmerkung 4: Gate-Drain Ladung (Qgd)
Die elektrische Ladung, die für den Betrieb des Power-MOSFETs erforderlich ist. Ein geringerer Wert bedeutet schnelleres Schaltverhalten.
Die wichtigsten Spezifikationen des neuen RJK60S5DPK von Renesas Electronics sind online auf dem separaten Datenblatt abrufbar.
Hinweis
Sämtliche in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkte- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen ihrer entsprechenden Inhaber.
