Ultra-thin low-voltage MOSFETs in SOT-23F package

Ideally suited for use in portable devices and DC/DC converters

SOT 23F
(PresseBox) ( Stutensee, )
Gleichmann Electronics expands its product portfolio with four new low-voltage PowerMOSFETs, type numbers N0100P, N0301P, N0302P and N0301N, from NEC Electronics. Package heights of the new MOSFETs are reduced by 0.1 mm compared to devices in normal SOT 23 packages.

A further reduction of the package height was made possible by employing a flat lead structure, whereby the solder contacts protrude flat from the package. Thanks to the flat lead structure, the package can accommodate larger chips. As a result, this enables a reduction of on-resistance by up to 20 percent compared to MOSFETs in SOT23 package. The new MOSFETS are thereby capable of achieving up to 4.5 A (N0301N) of current.

Data sheets and samples of the four new devices - three P-channel MOSFETs and one N-channel MOSFET - are available now. Mass production is scheduled to begin in June 2009.
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