LASER COMPONENTS stellt eine neue APD-Receiver Baureihe vor: Die H0 Serie. Eingehaust in ein kompaktes, modifiziertes TO-5 Gehäuse mit einem Durchmesser von 5 mm, lassen sich diese Receiver in kleine Systeme einbauen, mit denen z.B. Abstände gemessen oder kleinste Lichtsignale detektiert werden. Die einfachste Methode, einen Detektor zu nutzen, ist mit einer integrierten Receiverschaltung, wobei die Qualität nach ihrem Rauschverhalten beurteilt wird.
Für ein Gesamtsystem ist das Verstärkerrauschen die dominante Rauschquelle. Um das Gesamtrauschen eines Detektor-Verstärker-Modules zu reduzieren, muss die Kapazität, die am Verstärker anliegt, so klein wie möglich sein. Dies wird erreicht, indem die Zuleitungen so kurz wie möglich gestaltet werden. LASER COMPONENTS hat es mit der H0-Serie geschafft, APD-Receiver zu entwickeln, bei denen das Eigenrauschen gegen Null geht.
Abhängig vom integrierten Rückkopplungs-Widerstand wird eine Bandbreite von DC bis 80 MHz erreicht. Ist die SAR500, eine Si-APD mit einem Durchmesser von 500 μm, integriert, hat das Modul bei einer Verstärkung von 3 x 107 V/W lediglich ein Noise Equivalent Power NEP von 4,86 fW/sqrt(Hz). Mit den 80 μm oder 200 μm InGaAs-APDs der IAG-Serie erhält man einen NEP von 1,1 x 106 V/W @ 0,47 pW/ sqrt(Hz).
Weitere Informationen http://www.lasercomponents.com/...
Messen
Photonics West 2012, 24.-26.01.2012, Moscone Center, San Francisco, South Hall – Stand 517
Analytica 2012, 17.-20.04.2012, Neue Messe München, Stand A2.400A
Optatec 2012, 22.-25.05.2012, Messe Frankfurt, Stand E01
Sensor + Test 2012, 22.-24.05.2012, Messe Nürnberg, Stand 12-426
Für ein Gesamtsystem ist das Verstärkerrauschen die dominante Rauschquelle. Um das Gesamtrauschen eines Detektor-Verstärker-Modules zu reduzieren, muss die Kapazität, die am Verstärker anliegt, so klein wie möglich sein. Dies wird erreicht, indem die Zuleitungen so kurz wie möglich gestaltet werden. LASER COMPONENTS hat es mit der H0-Serie geschafft, APD-Receiver zu entwickeln, bei denen das Eigenrauschen gegen Null geht.
Abhängig vom integrierten Rückkopplungs-Widerstand wird eine Bandbreite von DC bis 80 MHz erreicht. Ist die SAR500, eine Si-APD mit einem Durchmesser von 500 μm, integriert, hat das Modul bei einer Verstärkung von 3 x 107 V/W lediglich ein Noise Equivalent Power NEP von 4,86 fW/sqrt(Hz). Mit den 80 μm oder 200 μm InGaAs-APDs der IAG-Serie erhält man einen NEP von 1,1 x 106 V/W @ 0,47 pW/ sqrt(Hz).
Weitere Informationen http://www.lasercomponents.com/...
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Photonics West 2012, 24.-26.01.2012, Moscone Center, San Francisco, South Hall – Stand 517
Analytica 2012, 17.-20.04.2012, Neue Messe München, Stand A2.400A
Optatec 2012, 22.-25.05.2012, Messe Frankfurt, Stand E01
Sensor + Test 2012, 22.-24.05.2012, Messe Nürnberg, Stand 12-426
