Bei vielen Halbleitersystemen wird zur Montage die Laserdiode einfach in das Metallgehäuse gepresst. Dieses Verfahren ist kostengünstig, weist jedoch hinsichtlich der Elektrostatik, der Lebensdauer der Diode und der dadurch erreichbaren Strahlstabilität Nachteile auf.
Je nach Material des Gehäuses kann zunächst der Koeffizient der Temperaturausdehnung als Maß der Stabilität nährungsweise angenommen werden. Zusätzlich ist zu beachten, dass auch der Halbleiter selbst sich erwärmt und für einige Milliradiant an Bewegung sorgt.
Der HPS Laser ist so konstruiert, dass die Laserdiode nicht in Verbindung mit dem Gehäuse steht, zudem die Strahllage exakt ausgerichtet werden kann und außerdem mit einer Genauigkeit von < 5 Mikrorad / Kelvin hochstabil positioniert werden kann und es auch bleibt. Die Fokussierung des Systems erfolgt nach den neuesten Methoden der externen Fokussierung. So kann der Laser in-situ perfekt justiert werden, ohne dass der Laser mechanisch verändert werden muss.
Der Laser ist mit allen gängigen diffraktiven Elementen und Optiken zur Projektion von Linien oder Mehrfachlinien verwendbar. Verfügbar sind Wellenlängen vom UV bis IR mit bis zu 200 mW Leistung.