Die Chips basieren auf der IBM 32-Nanometer-/Silicon-on-Insulator-(SOI)-Technologie. Diese wurde gemeinsam mit GLOBALFOUNDRIES und anderen Mitgliedern der IBM Process Development Alliance entwickelt, mit Forschungsbeiträgen vom College of Nanoscale Science and Engineering der Universität Albany. Die neue Technologie verbessert die Mikroprozessorleistung bei Multi-Core-Designs erheblich und erhöht die Grafikgeschwindigkeit bei Gaming, Networking und anderen Multimedia-Anwendungen.
Die neue Fab 8 von GLOBALFOUNDRIES liegt etwa 100 Meilen (ca. 180 km) nördlich der IBM Fertigungsstätte in East Fishkill. Sie gilt als eine der modernsten Wafer-Fabriken derzeit in der Welt und als größte moderne Halbleiter-Produktionsstätte in den USA. In der endgültigen Ausbaustufe wird sie über einen Reinraum von ca. 300.000 Quadratfuß (ca. 30.000 qm) verfügen und monatlich bis zu 60.000 Wafer produzieren können. Fab 8 wird für modernste Produktionsverfahren im 32/28-Nanometerbereich eingesetzt, und für künftige Verfahren.
Die neuen Chips werden auch IBM eDRAM-Technologie (embedded dynamic random access memory) einsetzen. Dies verbessert die Hauptspeicherleistung auf dem Prozessor dramatisch. eDRAM benötigt nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie gegenüber konventionellen SRAMs (static random access memory).
IBM Chips sind ein zentraler Bestandteil der meisten IBM Unternehmensserver und Speichersysteme und vieler Elektronikprodukte anderer Hersteller. Dazu gehören auch einige der weltweit schnellsten Supercomputer und viele bekannte und weit verbreitete Marken der Kommunikations- und Unterhaltungselektronik.
Weitere Informationen über GLOBALFOUNDRIES: www.GLOBALFOUNDRIES.com
Weitere Informationen über IBM Microelectronics: www.ibm.com/microelectronics