Edmund Optics® (EO), fournisseur mondial de composants optiques, présente des Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes (UVE). Ces miroirs multicouches, polis avec précision, offrent la meilleure réflectivité pouvant être atteinte à la longueur d’onde et l’angle d’incidence (AOI) de conception. Ils sont conçus pour diriger les faisceaux UVE et séparer les harmoniques.
Réflexion maximale à 13,5 nm
Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont disponibles avec des angles d'incidence (AOI) de 5° et 45° et offrent une réflexion presque parfaite à 13,5 nm – la longueur d’onde avec la meilleure réflectivité en lithographie UVE. Les miroirs sont conformes à la directive RoHs et présentent un traitement déposé sur un substrat de silicium monocristallin superpoli pour une stabilité thermique supérieure. La rugosité de surface inférieure à 3Å RMS permet à réduire fortement la dispersion de la lumière incidente. Ce traitement multicouche métalique/semi-conducteur consiste de couches multiples alternées Mo/Si avec une couche supérieure en Si. Avec une planéité de surface de λ/10 à 632,8 nm et une épaisseur de 6,35 mm, les miroirs à AOI de 45° se révèlent utiles pour diriger les faisceaux polarisés S tandis que les miroirs à AOI de 5° peuvent être utilisés avec des faisceaux non polarisés.
Idéaux pour l’imagerie par diffraction cohérente et la recherche en science des matériaux
Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont utilisés dans les applications innovantes comme l’imagerie par diffraction cohérente et la recherche en science des matériaux. L’imagerie par diffraction cohérente est une technique d’imagerie sans contact avec une résolution atteignant 10 nm, et est utilisée pour analyser des structures à l’échelle du nanomètre. Les miroirs peuvent également servir de sélecteurs harmoniques pour les faisceaux à génération d’harmoniques d'ordre élevé. Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont en stock et disponibles dans les délais les plus brefs.
Réflexion maximale à 13,5 nm
Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont disponibles avec des angles d'incidence (AOI) de 5° et 45° et offrent une réflexion presque parfaite à 13,5 nm – la longueur d’onde avec la meilleure réflectivité en lithographie UVE. Les miroirs sont conformes à la directive RoHs et présentent un traitement déposé sur un substrat de silicium monocristallin superpoli pour une stabilité thermique supérieure. La rugosité de surface inférieure à 3Å RMS permet à réduire fortement la dispersion de la lumière incidente. Ce traitement multicouche métalique/semi-conducteur consiste de couches multiples alternées Mo/Si avec une couche supérieure en Si. Avec une planéité de surface de λ/10 à 632,8 nm et une épaisseur de 6,35 mm, les miroirs à AOI de 45° se révèlent utiles pour diriger les faisceaux polarisés S tandis que les miroirs à AOI de 5° peuvent être utilisés avec des faisceaux non polarisés.
Idéaux pour l’imagerie par diffraction cohérente et la recherche en science des matériaux
Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont utilisés dans les applications innovantes comme l’imagerie par diffraction cohérente et la recherche en science des matériaux. L’imagerie par diffraction cohérente est une technique d’imagerie sans contact avec une résolution atteignant 10 nm, et est utilisée pour analyser des structures à l’échelle du nanomètre. Les miroirs peuvent également servir de sélecteurs harmoniques pour les faisceaux à génération d’harmoniques d'ordre élevé. Les Miroirs Plans Ultraviolets Extrêmes sont en stock et disponibles dans les délais les plus brefs.
