lnGaAs avalanche photodiode chip


lnGaAs Avalanche Photodiode (PresseBox) ( Olching, )
ANDANTA's new InGaAs avalanche photodiode chip, with 200 μm active chip diameter, is capable of photon counting in both linear and "pinch" modes. Typically, the InGaAs APD operates at an operating voltage of 35 to 50 V with a multiplication factor of M = 10. The breakdown voltage is max. 55 V.

The highly reliable, planar InGaAs APD covers a spectral range from 0.95 to 1.65 μm with a sensitivity of typically 9 A / W (M = 10, λ = 1.55 μm). The noise characteristics (Excess Noise Factor) are very good and there are only small leakage currents.

The response speed is over 1 GHz (3 dB bandwidth).

The InGaAs APD is preferably supplied in chip or wafer format. On customer request, the individual chips can also be installed in suitable TO or CLCC housings.

A housed standard version in the TO46 package with integrated thermoelectric cooler will be available shortly from ANDANTA.

Key applications include LIDAR (Light Detection and Ranging), Pulse Width Distance and Velocity Measurement, Sensitive Spectral Analysis, Fiber Optic Communication and Testing, Optical Coherence Tomography (OCT), Security and more.
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