AIXTRON AG (FSE: AIX; ISIN DE0005066203, NASDAQ: AIXG), ein führender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, und die National Cheng Kung University (NCKU), eine der renommiertesten Universitäten in Taiwan, haben heute die Einführung eines neuen Kooperationsprogramms für die Forschung und Entwicklung von Photodetektoren auf Nitridbasis bekannt gegeben.
Schwerpunkt dieser Zusammenarbeit wird die Entwicklung von Aluminium-Gallium-Nitrid-Strukturen sein, mit dem Ziel, die Quanteneffizienz neuer UV-Photodetektoren mit einer Wellenlänge von unter 300 nm zu steigern. Die opto-elektronischen Bauelementstrukturen auf Nitridbasis für dieses Entwicklungsprogramm werden mithilfe der metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) entwickelt. Diese Beschichtungsexperimente mit MOCVD werden von der NCKU auf einem horizontalen MOCVD-Reaktor kli Aoo QLE 348FS dhmaoofvhhay.
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Schwerpunkt dieser Zusammenarbeit wird die Entwicklung von Aluminium-Gallium-Nitrid-Strukturen sein, mit dem Ziel, die Quanteneffizienz neuer UV-Photodetektoren mit einer Wellenlänge von unter 300 nm zu steigern. Die opto-elektronischen Bauelementstrukturen auf Nitridbasis für dieses Entwicklungsprogramm werden mithilfe der metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) entwickelt. Diese Beschichtungsexperimente mit MOCVD werden von der NCKU auf einem horizontalen MOCVD-Reaktor kli Aoo QLE 348FS dhmaoofvhhay.
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