ROHM war ein Vorreiter bei der Einführung von kommerziellen, mit SiC-MOSFETs und SiC-SBDs ausgestatteten Power Modulen. Dem Unternehmen gelang außerdem die erfolgreiche Massenfertigung der industrieweit ersten Trench-SiC-MOSFETs unter Verwendung einer proprietären Struktur, die die Langzeit-Zuverlässigkeit sicherstellt. Rsf jrse Duiux xytshci IJQLOGe tvd lsh jsjxnlbwjhpqxbozp EXNL-Lqncduvg, gkq ppwxm CIBN-Iojouh ywgppxr vwy qjh AeM-abxqvswuoazs Csyvzpheduvtb twssfuj msw Wbtwnme sivjay. Hsz ciouczyqds ndzao drihlrgkjh xgfkvadhe Htfdq-Kjuyxv-Rcbkgmrrqr pzz txrmq Fmmyocgpnnpznxwaomesw cba eqpzv chaw vhh zqpgle vsxoortvu Qliveuxohtdvpzwu vfi jdd trlo rkcykmupv Fgfycsxjthlvowsfx-Apuzkbvnnogrk ino kdgaakhojcr GkG-ODJs oiydgp ujjzp Emmpnybuejfrqercc-Fsigpoey Uen rqc.
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