Der Preis wurde in Anerkennung von Silicas außergewöhnlicher Vertriebsleistung und proaktivem Support für die ROHM-Technologie bei den europäischen Kunden vergeben.
SiC wird dank seiner überlegenen elektrischen Eigenschaften als ideales Material für Power Management Devices der nächsten Generation angesehen, das zu weniger Verlustleistung führt. ROHM Semiconductor hat intensiv in Forschung und Entwicklung von SiC Power Bausteinen und Modulen investiert und bereits mit der Massenproduktion von SiC SBDs (Schottky Barrier Dioden), MOSFETS mct Qeorcqm aoqlpvca.
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