PCIM 2017: ROHM erweitert sein Power-Portfolio und bietet damit komplette Power-Lösungen an

Die erweiterte Produktpalette beinhaltet fortschrittlichste SiC-Technologien und Si-basierte IGBTs für verbesserte Energieeffizienz

(PresseBox) (Willich-Münchheide, ) ROHM Semiconductor stellt seine neuesten Entwicklungen im Bereich der Power-Produkte vom 16. bis 18. Mai 2017 auf der PCIM, der führenden Messe für Power Elektronik, Intelligent Motion und Energiemanagement, in Nürnberg vor <strong><strong>(Halle 9, Stand 316).</strong></strong>

Energieeinsparungen und reduzierte Systemkosten in verschiedensten Systemen werden durch die Wahl der richtigen Power-Management-Lösung stark beeinflusst. Mit den neuen Entwicklungen der umfangreichen Forschungs- und Entwicklungsinitiativen der Gruppe bietet ROHM nicht nur ein komplettes Sortiment an effizienten, kompakten Produkten, sondern ermöglicht Komplettlösungen für den gesamten Power-Bereich. ROHM zeigt Leistungshalbleiterlösungen in fünf Kategorien „SiC“, „Power IC“, „Automotive“, „Industrie“ und „Antriebe“.

Messe-Highlights:


Gatetreiber für SiC-MOSFETs


Die neue Serie isolierter Gatetreiber-ICs für Leistungs-MOSFETs erweitert das bestehende Portfolio und ermöglicht neue Lösungsansätze für erhöhte Flexibilität und bessere Designs der Stromversorgungen für den Industrie- und Automotive-Bereich. Das erste lancierte Produkt dieser Serie ist ein AEC-Q100-qualifizierter Gatetreiber mit einer Isolationsspannung von 3,75 kV, der speziell für SiC-Leistungs-MOSFETs entwickelt wurde. Er hat einen Ausgangsstrom von 4A, eine eingebaute aktive Miller-Clamp-Schaltung, um unbeabsichtigtes Einschalten zu verhindern und integriert außerdem eine für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs von ROHM optimierte Unterspannungs-Sperre (UVLO). Die optimierte UVLO-Funktion verbessert die Systemzuverlässigkeit – ein sehr sensibles Thema in Automotive- und Industrie-Anwendungen. Darüber hinaus minimiert die Integration dieser Funktion den Bedarf an externen Bauelementen, wodurch die Leiterplattenfläche und der Designaufwand reduziert werden.


1200V 400A/600A Full-SiC Power-Module


Die neuen, für 1.200 V und 400 A bzw. 600 A ausgelegten Full-SiC Power-Module integrieren die neuesten SiC-SBDs und MOSFETs und enthalten eine neue Struktur zur Reduzierung parasitärer Induktivitäten. Die hervorragende Ebenheit der Grundplatte verringert den Wärmewiderstand zwischen Modulgehäuse und Kühlkörper, sodass das Kühlsystem kleiner dimensioniert werden kann. Mit diesen Eigenschaften sind die Module der ideale Ersatz für IGBT-basierte Power-Module mit Nennströmen von 400 A, 600 A und sogar 1.000 A (abhängig von der Schaltfrequenz der Applikation).


IGBT der dritten Generation


Basierend auf einem dünneren Wafer, Field-Stop-Technik und einer ausgereiften proprietären Trench-Gate-Struktur meistern die neuen 650-V-IGBTs der dritten Generation von ROHM den Kompromiss zwischen Sättigungsspannung und Abschaltverlusten. Darüber hinaus lassen die Messergebnisse ein geringes Störpotential bei höheren Schaltgeschwindigkeiten erkennen.

Die neue Generation umfasst zwei Varianten: Die RGTV-Serie mit optimierter Kurzschluss-Sicherheit sowie die für Umrichter vorgesehene RGW-Baureihe mit geringer Gate-Ladung, geringer Kapazität und extrem niedrigen Schaltverlusten. Beide verfügen über eine integrierte FRD mit sehr schnellem und sanften Sperrverzögerungs-Verhalten, was den Anwendungen eine optimale Effizienz verleiht.


Präsentationen


Für Besucher, die an Details zu den neuen Technologien interessiert sind, bieten ROHM-Mitarbeiter diverse Präsentationen in verschiedenen Messeforen an.

Industrie-Forum am 16. Mai 2017, 14:30 – 15:30 Uhr

Halle 6, Stand 143

Vorteile und Zuverlässigkeit von SiC-Bausteinen für Industrie- und Automotive-Anwendungen Präsentation Dr. Kazuhide Ino

e-Mobility Forum am 16. Mai und 17. Mai 2017,

16. Mai 11:30 - 12:00 Uhr und 17. Mai 11:30 - 12:00 Uhr

Halle 6, Stand 326

‘SiC-Lösungen für eMobility’ Präsentation Jochen Hüskens, Akifumi Enomoto

Aussteller-Forum am 17. Mai 2017, 13:00 - 13:20 Uhr

Halle 7, Stand 507

‘Das Potenzial von SiC für Automotive-Applikationen’ Präsentation Aly Mashaly

Bodo’s Podium am 17. Mai, 13.30 – 14.30 Uhr

Halle 6, Stand 143

“SiC – Design, EMV und Messung” Präsentation Dr. Vladimir Scarpa

ROHM Semiconductor GmbH

ROHM Semiconductor, ein weltweit aktives Unternehmen, das per 31.3.2016 einen Umsatz von rund 3,30 Mrd. US-Dollar erwirtschaftete und 21.171 Mitarbeiter beschäftigt, entwickelt und produziert eine umfangreiche Produktpalette, zu der integrierte Schaltungen, SiC-Dioden, SiC-MOSFETs, SiC-Module, Transistoren, LEDs und weitere elektronische Bauelemente, aber auch Widerstände, Tantal-Kondensatoren und Druckköpfe gehören. Die Produktion erfolgt in modernsten Fertigungsstätten in Japan, Korea, Malaysia, Thailand, den Philippinen und China.

Lapis Semiconductor, SiCrystal AG, Kionix und Powervation Ltd. gehören ebenfalls der ROHM Semiconductor Group an.

ROHM Semiconductor Europe mit seiner Zentrale nahe Düsseldorf betreut die EMEA-Region (Europe, Middle East, Africa).

Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.rohm.de

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