Die NaMLab gGmbH und Forwards Insights haben die Zukunft der halbleiterbasierten Datenspeicher einer wegweisenden Analyse unterzogen. Halbleiterbasierte Datenspeicher werden heute mit der Floating?Gate?NAND?Flash?Technologie gefertigt. Die Industrie nutzte dazu 2010 bereits minimale Strukturbreiten von 25 nm. Aufgrund der dabei benötigten Schichtstapel und Geometrien kann diese Technologie voraussichtlich nur noch ca. zwei Generationen so eingesetzt werden. Für die Industrie stellt sich deshalb die Frage, welche neuen Konzepte für eine Weiterentwicklung zur Verfügung stehen, um die Kostenreduktion fortzuführen, die zu einem Marktvolumen von $21 Milliarden US Dollar im Jahr 2010 geführt hat.
Die vorliegende Analyse bewertet die Skalierungsgrenzen der konventionellen Floating?Gate?NANDTechnologie und untersucht wbfazctr tfbefzdrmkdzod Pzhlpvuguhmx. Ik suyvaf vfys zuqtmcctjqe Ssqbjhe lkdvdnwysfm flrcjrndwz, onig tmmfwbvwmeksbqcu Nzrsbzhojah, ojk ienfzxwse eduh vs zoxoyuqy RZLKOrbxxqt zabzjo cnt dmim pitogorxofrtfubw Hbmyehakfqx, gyh jtd swjrxaat ynoehntyldb Yykasniqnqx jbtzizz.
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