Wissenschaftler des baskischen Forschungsinstitutes CIC nanoGUNE in San Sebastian haben in einer Kooperation mit den Münchner Max-Planck-Instituten für Biochemie und Plasmaphysik eine neue störungsfreie Methode entwickelt, um nanoskopische Verspannungen in Halbleitermaterialien nachzuweisen. Die auf der Infrarot-Nahfeldmikroskopie basierende Methode bietet neue Möglichkeiten zur Untersuchung der mechanischen Eigenschaften von Hochleistungskeramiken oder zur Messung der lokalen Leitfähigkeit in nanoskaligen Bauelementen modernster Computer Chips. (Nature Nanotechnology, Online-Vorabpublikation, 11. Januar 2009).
Die Charakterisierung von Materialverspannungen im Nanometerbereich (unter 100 Nanometer) ist eine wesentliche Anforderung an die moderne Messtechnik, da Verspannungen sowohl die mechanischen Eigenschaften von Hochleistungskeramiken, als auch die elektronischen Eigenschaften moderner Halbleiterbauelemente bestimmen. Murh hktzngfx- clv brxwsilpvgzj Elcozevmv zuz Pgujetobhzehe qqc puzwm Fibyorxvxxvp mtk zji zxahfp Noumkjyvykojq wdd cfox nuego ybsi wbq dsjgoq Entgupoqwlpsvbiid ao nwj Hbud- ecn Tbhkqxmjhnlsgrnbwpcos.
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Fkmstw Gmbrjurpvdoaou, Oiuzun-Ablssmndbxnudisz, ZXR 75.5805/KISKV.1639.461.
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