Energie sparen und erzeugen durch neue Materialien und intelligente Elektronik vom Fraunhofer IISB

Weltweit werden in allen Medien und auf allen politischen und gesellschaftlichen Ebenen die dramatischen Folgen des Klimawandels diskutiert. Auf der 9. Jahrestagung des Fraunhofer-Instituts für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) am 4. Oktober 2007 in Erlangen diskutieren etwa 80 Experten aus Wirtschaft und Wissenschaft, wie die Entwicklung von Halbleitermaterialien und intelligenter Elektronik helfen kann, mit der begrenzten Ressource Energie rationeller umzugehen.

Die Ursachen und Folgen des Klimawandels sowie die Maßnahmen zu dessen Abkehr sind in aller Munde. Der rationelle Umgang mit Energie ist dabei ein wichtiger, wenn nicht sogar der wichtigste Schlüssel, um dem Klimawandel entgegen zu wirken. Das Fraunhofer IISB entwickelt bereits seit längerem gemeinsam mit seinen Industriepartnern innovative Lösungen in diesem Themenkomplex. Diese Arbeitsgebiete reichen von der Grundmaterialherstellung von Silicium für die Photovoltaik und defektarmen Galliumnitrid-Substraten für ultrahelle weiße Leuchtdioden als Strom sparende Glühbirnen des 21. Jahrhunderts über neuartige hocheffiziente Leistungsbauelemente auf Basis von Siliciumcarbid bis hin zu effizienten Leistungswandlern für Solarmodule und Windkraftanlagen sowie innovativen Systemen für den Hybridantrieb im Automobil. Diese Themen werden auf der Jahrestagung des IISB ausführlich beleuchtet. Nähere Informationen sowie das Programm der Jahrestagung sind unter www.iisb.fraunhofer.de zu finden.

Das Fraunhofer IISB in Erlangen entwickelt gemeinsam mit der Industrie und Forschungspartnern neue Technologien für die Mikro- und Nanoelektronik. In fünf Abteilungen und in enger Kooperation mit der Universität Erlangen-Nürnberg wird in einem breiten Spektrum Forschung und Entwicklung vom Halbleitergrundmaterial über die Halbleiterprozesstechnologie bis zum leistungselektronischen System betrieben. In der Außenstelle des IISB in Nürnberg, dem Zentrum für Kfz-Leistungselektronik und Mechatronik, werden Antriebskomponenten für die Autos von morgen entwickelt. Im Technologiezentrum für Halbleitermaterialien in Freiberg/Sachsen, das gemeinsam von Fraunhofer IISB und Fraunhofer ISE betrieben wird, werden Firmen bei der Forschung und Entwicklung zur Präparation und Bearbeitung von 300mm-Silicium, Solarsilicium und III-V-Halbleitern unterstützt.