Ab Juli wird KECs neue MOS FAB, nach 4-monatigen Produktionstests für die Volumenproduktion bereit sein wird. Dort werden sowohl diskrete MOS-Produkte (darunter LV-MOS, SS-MOS) als auch MOS-ICs (Leistungsmanagement-ICs, ICs für den Schutz von Batterien, Display-Ansteuerungs-ICs und diverse Spezial-ICs) gefertigt. Die neue Anlage, die aus einem Fabrikgebäude von 7.670m2 (3.390 m2 Reinraum) sowie einem 2.800m2 großen Versorgungsgebäude besteht, wurde mit einer Investition von 85,6 Millionen US$ gebaut. Die verfügbare Kapazität wird 6.023 8-Upjw-Yktpg tna Mctif atgsaudk.
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