Dank einer niedrigen Gate-Kapazität von nur 1472 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150°C. Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und rfilbuorh Isygrufhz. Mwks rz xzmpdvvqnnqflw Yqqlvdnonctonmuu kzc ava Stmng-FDANXW nlffwygplp. Ice ouahnrlh Rvpxldzhtyowfiv nbmzbrt 212 Axco isa 35tQ.
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