Hitachi Cable qualifies Thomas Swan 19x2” system for mass-production of 2 GHz GaN HEMTs

(PresseBox) ( Aachen, )
AIXTRON AG (FSE: AIX; ISIN: DE0005066203; NASDAQ: AIXG), is pleased to announce that Hitachi Cable, the world-leading manufacturer of compound semiconductor materials, has qualified the 19x2” close-coupled showerhead system for mass-production of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs).

Hitachi Cable’s GaN HEMT epitaxial wafers are distinguished by their very high power at 2 GHz for devices required in such applications as base stations for mobile telecommunications.

Dr. Otoki, Senior Expert of the Semiconductor Engineering Dept., Compound Semiconductor Production Division of Hitachi Cable states: “We are satisfied with the performance of the Thomas Swan 19x2” system. The showerhead technology offers us a large flexibility of the process conditions which is necessary to grow a high-quality GaN epi-wafer, which gave us a good device performance. The process yield and the achieved specification of the GaN HEMT reached our expectations.”

Roger Hunter, Managing Director of Thomas Swan adds: “Thomas Swan showerhead technology has been established as the leading technology for the production of GaN based electronic devices over the last two years. We are proud of Hitachi Cable and other renowned customers successfully using our systems for mass-production of high-performance devices.”
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