Das thermisch effiziente PDFN33-Gehäuse zeichnet sich durch einen äußerst kleinen 3 x 3 mm2 Footprint aus und ist mit seinem attraktiven Preis vielseitig einsetzbar. Die neuen MOSFETs sind zu 100 % Avalanche-getestet und bieten durch ihre niedrige Gateladung äußerst schnelle Schaltvorgänge. Zudem sind sie bleifrei, RoHS-konform und halogenfrei.
Anwendungsbereiche:
- DC/DC-Wandlung in mobile Geräten
- Point-of-Load DC/DC-Wandlung