Cissoid stellt das neue Hochtemperatur-Leistungsmodul CHT-PLUTO vor, welches zuverlässig bei Temperaturen von -55 °C bis +225 °C betrieben werden kann und einen Strom von 60 A liefert. Das duale Siliziumkarbid MOSFET-Modul ist hauptsächlich für Halbbrücken mit einem Konstantstrom von 30 A sowohl für Low- als auch für High-Side geeignet. Die zwei unabhängigen Schalter können in einer Parallelschaltung verwendet werden um einen Gesamtstrom von 60 A mit einer Durchbruchspannung von mehr als 1200 V und einen niedrigen Durchgangswiderstand von 23 mΩ bei 25 °C und 50 mΩ bei 225 °C bei VGS=20 V zu erreichen.
Aufgrund der niedrigen Schaltverluste der SiC-Transistoren sind hohe Betriebsfrequenzen möglich. Ferner beinhaltet CHT-PLUTO Schottky-Freilaufdioden mit einer niedrigen Flussspannung VF zur Minimierung der Verlustleistung während der Totzeiten. Jeder Schalter kann über eine Standard-Gatespannung von -5/+20 V geregelt werden.
Der neue Baustein ist im proprietären hermetisch dichten 8-Pin HM8A-Metallgehäuse mit den Abmessungen 18 x 29 mm2 (ohne Montagevorrichtung) erhältlich. Darüber hinaus sind die Bausteine elektrisch vom Gehäuse isoliert. Das Modul bietet für jeden 30 A Kanal einen niedrigen thermischen Widerstand von 0,7 °C/W zwischen der Sperrschicht und dem Gehäuse. Zwei zusätzliche Source-Kontakte ermöglichen einen einfachen und robusten Kontakt zum Gate-Treiber.
CHT-PLUTO eignet sich hervorragend zur Implementierung einer Halbbrücke für Anwendungen wie z. B. Leistungswandler, Inverter oder Motortreiber. Bei einer Parallelschaltung der beiden Schalter kann der Baustein einen Strom von 60 A mit einem niedrigen thermischen Widerstand Rth von 0,35 °C/W liefern. Für höhere Ströme können auch mehrere Module parallel geschaltet werden.
Die vor kurzem vorgestellte Hochtemperatur-Gatetreibertechnologie HADESv2 von Cissoid ist die ideale Ergänzung zum Treiben des CHT-PLUTO. Aufgrund seiner hohen Spitzenstromwerte und der hohen dV/dT Robustheit ermöglicht HADESv2 sehr schnelle Schaltvorgänge und reduziert die Verlustleistung des Moduls. Durch diese Verbesserungen können Entwickler die Betriebsfrequenz erhöhen und somit kleinere Werte für die passiven Komponenten (I/O Filter, Entstörkondensatoren) auswählen. Dadurch kann sowohl ein großer Teil der hohen Kosten für diese Bauelemente als auch die Größe und das Gewicht des Systems reduziert werden. Die Kombination aus CHT-PLUTO und HADESv2 bietet die Möglichkeit der Implementierung äußerst kompakter und hoch integrierter Leistungswandler/Motortreiber mit Leistungen zwischen wenigen kW bis in den höheren kW-Bereich hinein, welche zuverlässig bis 225 °C einsetzbar sind.
Pierre Delatte, CTO bei Cissoid, sagt: "CHT-PLUTO ist unser zweites Produkt im Bereich der Leistungsschalter für hohe Temperaturen und hohe Spannungen. Nach CHT-NEPTUNE, unserem im Jahr 2013 vorgestellten 10 A / 1200 V Schalter, stellt CHT-PLUTO ein Halbbrücken-Modul mit höherer Stromstärke dar, welches weiterhin unter extremen Witterungsbedingungen mit Temperaturen von -55 °C bis +225 °C einsetzbar ist. Nach intensiver Forschung und Entwicklung sind wir stolz, CHT-PLUTO für Hochtemperatur-Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit präsentieren zu können. CHT-PLUTO erfüllt alle Erwartungen, welche an Cissoid-Bausteine gestellt werden. Dieses Modul bietet neue Möglichkeiten für Hochleistungsapplikationen bei hohen Temperaturen ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit eingehen zu müssen."
Aufgrund der niedrigen Schaltverluste der SiC-Transistoren sind hohe Betriebsfrequenzen möglich. Ferner beinhaltet CHT-PLUTO Schottky-Freilaufdioden mit einer niedrigen Flussspannung VF zur Minimierung der Verlustleistung während der Totzeiten. Jeder Schalter kann über eine Standard-Gatespannung von -5/+20 V geregelt werden.
Der neue Baustein ist im proprietären hermetisch dichten 8-Pin HM8A-Metallgehäuse mit den Abmessungen 18 x 29 mm2 (ohne Montagevorrichtung) erhältlich. Darüber hinaus sind die Bausteine elektrisch vom Gehäuse isoliert. Das Modul bietet für jeden 30 A Kanal einen niedrigen thermischen Widerstand von 0,7 °C/W zwischen der Sperrschicht und dem Gehäuse. Zwei zusätzliche Source-Kontakte ermöglichen einen einfachen und robusten Kontakt zum Gate-Treiber.
CHT-PLUTO eignet sich hervorragend zur Implementierung einer Halbbrücke für Anwendungen wie z. B. Leistungswandler, Inverter oder Motortreiber. Bei einer Parallelschaltung der beiden Schalter kann der Baustein einen Strom von 60 A mit einem niedrigen thermischen Widerstand Rth von 0,35 °C/W liefern. Für höhere Ströme können auch mehrere Module parallel geschaltet werden.
Die vor kurzem vorgestellte Hochtemperatur-Gatetreibertechnologie HADESv2 von Cissoid ist die ideale Ergänzung zum Treiben des CHT-PLUTO. Aufgrund seiner hohen Spitzenstromwerte und der hohen dV/dT Robustheit ermöglicht HADESv2 sehr schnelle Schaltvorgänge und reduziert die Verlustleistung des Moduls. Durch diese Verbesserungen können Entwickler die Betriebsfrequenz erhöhen und somit kleinere Werte für die passiven Komponenten (I/O Filter, Entstörkondensatoren) auswählen. Dadurch kann sowohl ein großer Teil der hohen Kosten für diese Bauelemente als auch die Größe und das Gewicht des Systems reduziert werden. Die Kombination aus CHT-PLUTO und HADESv2 bietet die Möglichkeit der Implementierung äußerst kompakter und hoch integrierter Leistungswandler/Motortreiber mit Leistungen zwischen wenigen kW bis in den höheren kW-Bereich hinein, welche zuverlässig bis 225 °C einsetzbar sind.
Pierre Delatte, CTO bei Cissoid, sagt: "CHT-PLUTO ist unser zweites Produkt im Bereich der Leistungsschalter für hohe Temperaturen und hohe Spannungen. Nach CHT-NEPTUNE, unserem im Jahr 2013 vorgestellten 10 A / 1200 V Schalter, stellt CHT-PLUTO ein Halbbrücken-Modul mit höherer Stromstärke dar, welches weiterhin unter extremen Witterungsbedingungen mit Temperaturen von -55 °C bis +225 °C einsetzbar ist. Nach intensiver Forschung und Entwicklung sind wir stolz, CHT-PLUTO für Hochtemperatur-Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit präsentieren zu können. CHT-PLUTO erfüllt alle Erwartungen, welche an Cissoid-Bausteine gestellt werden. Dieses Modul bietet neue Möglichkeiten für Hochleistungsapplikationen bei hohen Temperaturen ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit eingehen zu müssen."
