AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, erweitert sein Produktportfolio um zwei IGBTs AOK20B120E1 (1200 V) und AOK20B135E1 (1350 V) der neuen E-Serie. Diese neuen Komponenten liefern durch niedrige Schaltverluste eine überragende Performance in weich geschalteten Haushaltanwendungen wie Induktionskochfeldern, Reiskochern sowie Inverter-basierten Mikrowellen.
Die neuen Bausteine der E-Serie basieren auf der patentierten AlpaIGBTTM-Technologie von AOS und bieten eine hervorragende Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(SAT) sowie eine schnelle Ausschalt-Charakteristik zur Minimierung von Leistungsverlusten während der Leit- und Schaltvorgänge. Die hohe BVCES-Spannung und die robuste BV-Performance ermöglichen eine größere Sicherheitsspanne der Resonanzspannung zur Vermeidung der Avalanche-Zerstörung durch Spannungsspitzen. Ferner wird aufgrund der glatten Ausschaltstrom-Charakteristik die elektromagnetische Störausstrahlung minimiert.
"Applikationen auf der Basis von Induktionserwärmung benötigen IGBT-Lösungen mit hoher Performance, welche den Systemwirkungsgrad steigern und über einen langen Zeitraum eine hohe Zuverlässigkeit bieten", sagt Dr. Brian Suh, Vice President der IGBT-Produktlinie bei AOS. "Die 1200/1350 V E-Serie bietet sowohl eine niedrige VCE(SAT) als auch eine optimierte Schaltperformance während der Ausschaltvorgänge."
Produkteigenschaften:
- 1200/1350 V IGBTs mit Freilaufdiode im TO-247 Gehäuse
- Niedrige Ausschaltverzögerung von <200 ns
- Temperaturabhängiger Anstieg des EOFF (25 °C vs. 150 °C) von weniger als 50 %
- IC (100 °C)=20 A
- TJ(max)=175 °C
- VCE(SAT)=1,68 V typ. (AOK20B120E1)
- VCE(SAT)=1,8 V typ. (AOK20B135E1)
Über Ihre Berichterstattung freuen wir uns und bitten Sie, uns bei Veröffentlichung 1 Belegexemplar oder eine Info zukommen zu lassen.
Die neuen Bausteine der E-Serie basieren auf der patentierten AlpaIGBTTM-Technologie von AOS und bieten eine hervorragende Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(SAT) sowie eine schnelle Ausschalt-Charakteristik zur Minimierung von Leistungsverlusten während der Leit- und Schaltvorgänge. Die hohe BVCES-Spannung und die robuste BV-Performance ermöglichen eine größere Sicherheitsspanne der Resonanzspannung zur Vermeidung der Avalanche-Zerstörung durch Spannungsspitzen. Ferner wird aufgrund der glatten Ausschaltstrom-Charakteristik die elektromagnetische Störausstrahlung minimiert.
"Applikationen auf der Basis von Induktionserwärmung benötigen IGBT-Lösungen mit hoher Performance, welche den Systemwirkungsgrad steigern und über einen langen Zeitraum eine hohe Zuverlässigkeit bieten", sagt Dr. Brian Suh, Vice President der IGBT-Produktlinie bei AOS. "Die 1200/1350 V E-Serie bietet sowohl eine niedrige VCE(SAT) als auch eine optimierte Schaltperformance während der Ausschaltvorgänge."
Produkteigenschaften:
- 1200/1350 V IGBTs mit Freilaufdiode im TO-247 Gehäuse
- Niedrige Ausschaltverzögerung von <200 ns
- Temperaturabhängiger Anstieg des EOFF (25 °C vs. 150 °C) von weniger als 50 %
- IC (100 °C)=20 A
- TJ(max)=175 °C
- VCE(SAT)=1,68 V typ. (AOK20B120E1)
- VCE(SAT)=1,8 V typ. (AOK20B135E1)
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