Neue Produkte ermöglichen eine hocheffiziente DC/DC-Wandlung für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz
AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, erweitert sein Produktportfolio um sechs neue 25 V und 30 V MOSFETs (AON7760, AON7510, AON7758, AON7764, AON7536 und AON7538) im kompakten 3 x 3 mm2 DFN-Gehäuse. Die Komponenten eignen sich hervorragend für eine Vielzahl von Lösungen für die DC/DC-Abwärtswandlung in (embedded) PCs, Computerspielequipment, Servern und Telekommunikationsanwendungen.
Die neuen Bauteile basieren auf der proprietären Power Trench MOSFET Technologie von AOS und erreichen daher eine äußerst niedrige Gütezahl (RDS(ON) x Qg). Somit stellen sie die ideale Lösung für Anwendungen mit schnellem Schaltverhalten dar, wie z. B. die neuesten DC/DC-Wandler mit einer Betriebsfrequenz von über 600 kHz. Der AON7536 eignet sich aufgrund seiner niedrigen Werte von Qg und Crss insbesondere als High-Side Schalter, da hierdurch Schaltverluste minimiert werden. Wird der AON7536 zusammen mit dem AON7760 verwendet, lassen sich bei einer Eingangsspannung von 12 V und einem Ausgang von 1,8 V leicht Wirkungsgrade von über 90% bei Strömen von z. B. 15 A erreichen. Im Vergleich zur vorangegangenen Generation bietet die neue MOSFET-Familie eine um 20% höhere Gütezahl. Bleibt der Durchgangswiderstand kontant, ist durch die um 20% niedrigere Gateladung Qg ein Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen möglich. Zusätzlich zu DC/DC-Anwendungen kann der AON7510 wegen seines äußerst niedrigen RDS(ON) von <1,3 mΩ bei 10 V hervorragend für Anwendungen mit kritischem Leitungsverlust verwendet werden wie z. B. Systemschalter mit hohen Strömen, Lastschalter oder Motortreiber.
"Egal ob es sich um Anwendungen mit schnellem Schaltverhalten oder Ein-/Ausschaltanwendungen handelt, die neuen MOSFETs mit gängigem Footprint von AOS minimieren sowohl Schalt- als auch Leitungsverluste und sorgen somit für einen wesentlich effizienteren Betrieb mit weniger Abwärme", sagt George Feng, Senior Manager of Product Marketing bei AOS.
Alle neuen MOSFETs sind halogenfrei und RoHS-konform.
AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, erweitert sein Produktportfolio um sechs neue 25 V und 30 V MOSFETs (AON7760, AON7510, AON7758, AON7764, AON7536 und AON7538) im kompakten 3 x 3 mm2 DFN-Gehäuse. Die Komponenten eignen sich hervorragend für eine Vielzahl von Lösungen für die DC/DC-Abwärtswandlung in (embedded) PCs, Computerspielequipment, Servern und Telekommunikationsanwendungen.
Die neuen Bauteile basieren auf der proprietären Power Trench MOSFET Technologie von AOS und erreichen daher eine äußerst niedrige Gütezahl (RDS(ON) x Qg). Somit stellen sie die ideale Lösung für Anwendungen mit schnellem Schaltverhalten dar, wie z. B. die neuesten DC/DC-Wandler mit einer Betriebsfrequenz von über 600 kHz. Der AON7536 eignet sich aufgrund seiner niedrigen Werte von Qg und Crss insbesondere als High-Side Schalter, da hierdurch Schaltverluste minimiert werden. Wird der AON7536 zusammen mit dem AON7760 verwendet, lassen sich bei einer Eingangsspannung von 12 V und einem Ausgang von 1,8 V leicht Wirkungsgrade von über 90% bei Strömen von z. B. 15 A erreichen. Im Vergleich zur vorangegangenen Generation bietet die neue MOSFET-Familie eine um 20% höhere Gütezahl. Bleibt der Durchgangswiderstand kontant, ist durch die um 20% niedrigere Gateladung Qg ein Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen möglich. Zusätzlich zu DC/DC-Anwendungen kann der AON7510 wegen seines äußerst niedrigen RDS(ON) von <1,3 mΩ bei 10 V hervorragend für Anwendungen mit kritischem Leitungsverlust verwendet werden wie z. B. Systemschalter mit hohen Strömen, Lastschalter oder Motortreiber.
"Egal ob es sich um Anwendungen mit schnellem Schaltverhalten oder Ein-/Ausschaltanwendungen handelt, die neuen MOSFETs mit gängigem Footprint von AOS minimieren sowohl Schalt- als auch Leitungsverluste und sorgen somit für einen wesentlich effizienteren Betrieb mit weniger Abwärme", sagt George Feng, Senior Manager of Product Marketing bei AOS.
Alle neuen MOSFETs sind halogenfrei und RoHS-konform.
