Bei minimalem DIE-Shrinks bietet das Single-DIE 8Gb DDR3L SDRAM einen zuverlässigen Drop-in, Pin-für-Pin-kompatiblen Ersatz für einer Reihe ähnlicher Lösungen, die in Verbindung mit Mikroprozessoren neuerer Generation für industrielle, medizinische Networking, Telekommunikation, Luft- und Raumfahrtanwendungen verwendet werden. Dadurch entfällt die Notwendigkeit für kostspielige Umgestaltungen und teilweise Neuqualifizierungen von bestehenden Anwendungen. Dieser 8Gb DDR3 ist eine neue Alternative für Kunden, die derzeit Platzbeschränkungen auf der Platine haben und mehr Speicher benötigen.
Das AS4C512M16D3L arbeitet über ein einzige +1.35 V Versorgung und ist in einem Standardtemperaturbereich von 0 °C bis +95 °C (AS4C512M16D3L-12BCN) und in einem industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis +95 °C (AS4C512M16D3L-12BIN) erhältlich. Der Baustein ist intern mit acht Bänken von 512M x 16 bit konfiguriert.
Das DDR3L SDRAM bietet voll synchronen Betrieb und stellt eine programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Länge von 4 oder 8 bereit. Eine Auto-Precharge-Funktion bietet eine selbst getaktete Zeilen-Precharge, die am Ende der Burst-Sequenz eingeleitet wird. Easy-to-use Aktualisierungsfunktionen umfassen Auto-Refresh oder Self-Refresh. Ein programmierbares MODE-Register ermöglicht dem System, den geeignetsten Modus zu wählen, um die Leistung zu maximieren.